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II-VI高意宣布其6英寸GaAs平台已提供高功率半导体激光器的完整产品线

摘要:砷化镓(GaAs)光电技术领导者II-VI高意宣布其6英寸GaAs平台现已提供高功率半导体激光器的完整产品线。该公司声称其是世界上第一个在这种可扩展平台上生产可靠的大功率泵浦激光二极管和棒的公司。

  ICC讯(编译:Nina)近日,砷化镓(GaAs)光电技术领导者II-VI高意公司(纳斯达克:IIVI)宣布,其6英寸GaAs平台现已提供高功率半导体激光器的完整产品线。

  激光系统市场(包括工业4.0、医疗诊断和外科以及航空航天和国防)的竞争日益激烈,同时需求预计会增长,可以实现规模经济又能可靠地批量交付产品的半导体激光器二极管供应商因此受益。II-VI高意现在正在其6英寸GaAs平台上大批量生产高功率边缘发射二极管,以满足市场对光纤激光泵浦芯片不断增长的需求。凭借在高度可靠高功率GaAs边缘发射泵浦激光器制造方面数十年的专业知识,和为3D感测和高速数据通信应用部署6英寸GaAs光电平台的势头,II-VI高意实现了这一里程碑。

  II-VI高意激光设备和系统业务部高级副总裁Dr. Karlheinz Gulden表示:“尽管世界上用于光电学的6英寸GaAs技术平台很少,但是II-VI高意已经在全球三个地点大规模运行了几个,其中包括美国的两个和瑞士的一个。据我们所知,我们是世界上第一个在这种可扩展平台上生产可靠的大功率泵浦激光二极管和棒的公司。通过实现这一里程碑,II-VI高意再次验证了内部开发垂直集成技术平台的长期战略利益,即能够跨越时间和应用利用这些投资。”

  II-VI高意的大功率半导体泵浦激光器以裸芯片和贴附芯片(Mounted chips)的形式提供。II-VI高意拥有广泛的激光系统组件,包括种子激光器、声光调制器、光纤布拉格光栅、千瓦泵浦和信号组合器,以及离子束溅射(IBS)涂层激光光学器件和用于高功率隔离器的微光学器件。

  除了用于光电的6英寸GaAs技术平台外,II-VI高意还建立了用于RF电子产品的6英寸GaAs和GaN-on-SiC(碳化硅上的氮化镓)技术平台。II-VI高意已宣布计划建立一个用于功率电子设备的6英寸SiC垂直集成平台,并且最近加入了美国半导体工业协会。

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