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中芯国际:第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段!

摘要:有报道称,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产。

 ICC讯  作为内地规模最大的晶圆代工厂,中芯国际的一举一动都牵动人心。

  近日有报道称,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产。


  对此,中芯国际回应称,该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。

  按照这样的时间表推测,中芯国际N+1代工艺确实会在2021年规模量产。

  N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号,但从未明确具体数字节点,只是说相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

  今年8月底的时候,中芯国际曾表示,N+1工艺进展顺利,已经进入客户产品验证阶段。

  本文转载自微信公众号:中国半导体论坛

内容来自:中国半导体论坛
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2020/09/23/20200923010746046679.htm 转载请保留文章出处
关键字: 中芯国际
文章标题:中芯国际:第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段!
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