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II-VI与SEDI合作 打造150mm晶圆制造平台

摘要:II-VI日前宣布与SEDI进行战略合作,将SEDI业界领先的HEMT器件技术与公司的150mm制造平台相结合,打造一个垂直整合的150mm晶圆制造平台,来制造最先进的碳化硅衬底氮化镓HEMT器件,支持下一代无线网络需求。

  ICCSZ讯(编译:Nina)日前,领先的化合物半导体解决方案供应商II-VI公司(纳斯达克:IIVI),宣布与住友电工(TYO:5802)旗下子公司住友电气设备创新公司(Sumitomo Electric Device Innovations,SEDI)进行战略合作,打造一个垂直整合的150mm晶圆制造平台,来制造最先进的碳化硅(SiC)衬底氮化镓(GaN)HEMT器件,以支持下一代无线网络。

  部署下一代宽带无线服务的竞争正在推动具有关键支持技术的可扩展战略供应链的发展。II-VI在150mm化合物半导体制造方面的领导地位与SEDI在GaN RF器件技术方面的领先地位相结合,将使双方能够带来具有一流性能、更大规模和更具竞争力成本的5G RF解决方案。

  SEDI公司总监Keiichi Imamura表示:“II-VI已投入大量资金建立世界级的150mm化合物半导体制造平台。面对快速增长的市场机遇,现在是时候将我们长期的商业关系发展成全面战略关系。我们将利用II-VI的制造平台实现规模经济,以满足即将到来的全球化碳化硅衬底氮化镓HEMT器件需求。”

  II-VI公司总裁兼首席执行官Chuck Mattera博士表示:“我们很高兴与无线通信应用的高性能氮化镓HEMT产品市场领导者SEDI合作。这种合作将打造一个从基板到RF模块的差异化、垂直整合的价值链解决方案。将SEDI业界领先的HEMT器件技术与我们的150mm制造平台相结合,将加速两家公司的宽带RF产品路线图,并在未来数年内确保领先的技术和市场地位。为迎接产能需求的攀升,我们正在准备一个150mm的半绝缘基板制造平台,并扩展我们的新泽西Warren工厂,以将这些核心技术增加到我们不断增长的光电器件制造能力中。”

  II-VI的新泽西州Pinebrook工厂和伊利诺伊州Champaign工厂满足宽带隙半导体材料快速增长的市场需求。公司位于新泽西州Warren的150mm生产设施预计将在2020年中期完成碳化硅衬底氮化镓(GaN-on-SiC)HEMT器件的生产认证。

内容来自:讯石光通讯咨询网
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2018/10/30/20181030015919714760.htm 转载请保留文章出处
关键字: II-VI
文章标题:II-VI与SEDI合作 打造150mm晶圆制造平台
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