2008年6月24日,领先的40Gbps光传输子系统供应商StrataLight通讯公司今天宣布研制出针对100Gbps DWDM转发器应用的锗硅(SiGe)芯片组。
这些芯片的开发是由StrataLight的尖端技术人员完成的,融合了混合信号ASIC设计、高速RF互连以及转发器子系统集成等技术。其中复用器芯片已经成功地通过了速率在112Gbp至136Gbps的测试,将用来100GE DWDM转发器线路端光接口,也可以按照OTU4框架支持100GE IP负载和下一代FEC开销。
“运营商们发现,受因特网和视频业务的推动,IP网络流量正出现持续强劲增长。StrataLight正投入巨资来发展用于100GE子系统的核心技术,来帮助运营商来增加他们在现有光纤网络上增加带宽。”StrataLight总裁兼CEO Shri Dodani表示。(编译:于占涛)