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英特尔利用硅开发出40Gbps光调制器 用于板卡间通信

摘要:   【日经BP社报道】美国英特尔宣布,利用硅开发出了40Gbps的超高速的光调制器。该公司曾于2005年5月利用硅开发出了10Gbps的光调制器。今后,该公司还计划将25个40Gbps
 
  【日经BP社报道】美国英特尔宣布,利用硅开发出了40Gbps的超高速的光调制器。该公司曾于2005年5月利用硅开发出了10Gbps的光调制器。今后,该公司还计划将25个40Gbps光调制器集成在一枚芯片上,实现1Tbps的传输容量,以用于超级计算机的板卡间通信等。
 
  英特尔开发的是马赫—曾德尔(Mach-Zehnder)干涉仪(MZI)型的光调制器。通过使分为2条的光信号中的一条的相位延迟180度等,将再次合成后的振幅调制为1或0。相位的控制利用了折射率随硅材料中的载波密度而改变的原理,与此前的普通光调制器采用的原理不同,此前采用的是名为“泡克耳斯效应”的基于LiNbO3及GaAs等化合物的光电效应。
 
  新产品为MZI型,这与该公司05年发布的10Gbps光调制器相同,不过此次“通过调整行波电极的设计,实现了40Gbps的调制”(英特尔)。行波电极是在光和高频电信号前进的方向上,根据相位在一定距离设置的相互作用电极。其特点是调制效率高,易于实现高速化及低压驱动。
 
  英特尔已经将采用上述光调制器实现的30Gbps调制成果发表在了2007年1月22日的光通信技术学术杂志《Optics Express》上。并在2007年7月8~11日于美国犹他州举行的国际会议“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上,宣布传输速度达到了40Gbps。
 
  上述研究为英特尔与NEC推进的硅光子技术的一环(参阅本站报道)。 英特尔计划将25个此次开发的调制器集成在一枚芯片上,采用波分复用,确保1Tbps的传输容量。关于此次成果的利用方式,NEC的目标是实现配备光收发器的芯片之间的信号传输,而英特尔则考虑在芯片间采用铜(Cu)等金属布线的板卡的信号传输方面采用这种芯片。(记者:野泽 哲生)
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