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度亘核芯单模808nm半导体泵浦源填补国内空白,全球领先

摘要:度亘核芯基于自主开发的高功率、高效率、高可靠性的单模808nm半导体激光芯片,推出国际领先的高性能蝶形光纤耦合模块,率先在国内实现产业化突破,填补了国内空白。

  度亘核芯基于自主开发的高功率、高效率、高可靠性的单模808nm半导体激光芯片,推出国际领先的高性能蝶形光纤耦合模块,率先在国内实现产业化突破,填补了国内空白。

  应用背景

  单模高性能808nm泵浦光,为紧凑型光纤激光器提供可靠核心动力。作为掺钕增益介质(如Nd:YAG、Nd:YVO₄)的首选泵浦波长,808nm单模泵浦源在飞秒激光振荡器、双光子激发显微成像等前沿研究领域应用广泛。另外,因其极佳的频率稳定性和低噪声特性,广泛应用于深空探测中的干涉仪、超高精度激光测距等众多尖端科学研究领域。

  单模808nm泵浦源凭借其卓越的光束质量与系统可靠性保障,已成为高端激光系统的核心组件。度亘核芯在单模激光芯片与模块领域深耕细研,推出系列高功率、高可靠的单模产品,为前沿科学研究、光通信、工业加工及智能感知系统等提供核心泵浦动力。

  创新成果与突破

  单模高功率808nm半导体激光芯片和光纤耦合模块

  •高功率输出:通过精细化的外延结构设计与低应力工艺制备,实现了芯片输出功率最高突破1200mW,耦合模块输出功率最高超过600mW;

  •高效率:芯片最高电光转换效率达到55%,在700mW工作条件下,电光转换效率依然保持在53%;模块400mW工作条件下,电光转换效率超过34%;

  •高可靠性:针对808nm单模激光芯片功率衰退这一痛点问题,采用突破性的芯片与器件结构设计以及工艺优化,大幅改善了功率衰退现象,在700mW的工作条件下,保障了芯片的可靠工作。

图1 单模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲线

图2 光纤耦合模块特性曲线

图3 不同电流对应光谱图

  产品规格

  关于度亘

  度亘核芯以高端激光芯片的设计与制造为核心竞争力,聚焦光电产业链上游,拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、器件工艺、芯片封装、测试表征、可靠性验证以及功能模块等全套工程技术能力和量产制造能力,专注于高性能、高功率、高可靠性光电芯片及器件的设计、研发和制造,产品广泛应用于工业加工、智能感知、光通信、医疗健康和科学研究等领域,致力打造具有国际行业地位的产品研发中心和生产制造商。

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