新品发布 | 联讯仪器高压低漏电开关矩阵RM1013-HV，满足功率半导体参数测试应用！

  ICC讯 随着人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的蓬勃推进，宽禁带半导体材料——尤其是碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）——凭借其卓越性能迎来了迅猛的发展势头。为了深入剖析并精确测量这些先进器件的各项参数及特性，进而提升其效率与可靠性，联讯仪器最新推出了10x24高压低漏电开关矩阵——RM1013-HV，能够在小于300pA的偏置电流满足3000V高压测量，完成各种高精度的半导体表征测试。

  01,高精度自动测量

  联讯仪器最新推出了10x24高压低漏电开关矩阵——RM1013-HV，能够在小于300pA的偏置电流满足3000V高压测量，可配合高精度SMU完成各种功率半导体的表征测试。

▲RM1013-HV高压低泄漏开关矩阵框图 

  多路高压灵活测量

  支持2路高压低泄漏电流通道输入，整机支持10路输入和24路输出，提高参数测量的灵活性，节省成本和时间，可配合HVSMU/SMU/CMU/DMM等测量设备实现一套高效的半导体参数自动测试系统。

  高压低泄漏电流

  矩阵低泄漏电流小于300pA@3000V（高压低泄漏电流通道），可配合高精度的SMU （如S3030F等）实现高精度自动测量。

  支持快速测量

  开关矩阵电流建立时间小于10秒（1V电压输入开始到电流<300fA的时间），可配合SMU （如S3030F，S2016C等）实现微弱电流信号的快速测量。

  高继电器触点寿命

  开关矩阵使用世界一流的干簧管制作的继电器，机械寿命最高可达10^8次。

  10MHz带宽

  开关矩阵优化了C-V和DMM通道的传输带宽，满足高速测试的需求。

  控制连接

  支持通过USB线缆或LAN直接连接至RM1013-HV，实现通道闭合断开的控制

  可以通过编程(SCPI 指令)或GUI界面控制。界面GUI非常直观和简洁，可轻松配置通道的闭合、断开进行测量。

▲矩阵控制软件GUI

  02,通道配置

  03，典型应用场景

  功率半导体参数测试

  使用高压低漏电开关矩阵可以与源表/高压源表/LCR meter/数字万用表等仪表无缝集成，组成强大的功率器件I-V、C-V参数自动化测试系统。可以高效测量MOSFET/IGBT/BJT/Diode/电容/电阻等器件的I-V、C-V各项特征参数，例如MOSFET 的BVdss、Off-leak/Id(off)-Vds、 Id-Vds等。不同器件及不同测量项目之间通过编程控制自动进行连接路径切换，一站式完成测量。

▲矩阵路径切换示意图

  在半导体功率器件测试中通常需要测量Ciss/Coss/Crss等高压电容参数。高压电容测量与I-V测量之间的路径切换一直是测试中的难点，高压切换矩阵中内置了可切换的高压电容测量偏置电路(HV Bias Tee)，可以有效地解决这个问题。

▲SiC MOSFET 电容特性

▲电容等效模型