ICC讯 10月21日,广东省人民政府办公厅关于印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》(以下简称《行动方案》)的通知。为加快培育发展光芯片产业,力争到2030年取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破,打造10个以上“拳头”产品,培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业,建设10个左右国家和省级创新平台,培育形成新的千亿级产业集群,建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地。该行动方案,明确26点重要任务。
光芯片是实现光电信号转换的基础元器件,相较于集成电路展现出更低的传输损耗、更宽的传输带宽、更小的时间延迟以及更强的抗电磁干扰能力,有望带动半导体产业变革式发展,有力支撑新一代网络通信、人工智能、智能网联汽车等产业高质量发展。
今年9月,在深圳举办的IFOC 2024上,通信和光电产业研究机构ICC讯石报告预测,2023年全球光通信产业链产值约为480亿美元,预计2028年达670亿美元,年复合增长率为7.6%;2023年,中国光通信产业链产值约为190亿美元,预计2028年达295.03亿美元,年复合增长率为9.5%。
光芯片是光通信产业的关键元器件,尤其是通信激光器芯片。ICC讯石预测2023-年2028年全球通信激光器芯片需求量年复合增长率约为5%。从市场金额角度看,2023年全球通信有源光模块激光器市场金额约为150亿元,预计到2028年将增长至约260亿元,2023年-2028年的年复合增长率约为9.6%。
随着光电芯片的应用不断扩宽,光芯片产业将在激光雷达,传感,医疗,航空航天等领域跨界融合发展,助力新一代网络通信,人工智能产业集群高质量发展。《行动方案》的发布将极大利好产业发展,加快关键核心技术突破,产业落地。
《行动方案》重点任务,包括突破产业关键技术、加快中试转化进程、建设创新平台体系、推动产业集聚发展、大力培育领军企业和加强合作协同创新。此外,在重点工程方面,《行动方案》提到推进关键材料装备攻关工程、产业强链补链建设工程、核心产品示范应用工程以及前沿技术产业培育工程。
明确强化光芯片各项能力支持力度
《行动方案》明确,强化光芯片基础研究和原始创新能力。鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。强化光芯片基础研究和原始创新能力。鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。加大“强芯”工程对光芯片的支持力度。
加快建设一批概念验证中心、研发先导线和中试线。支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片、红外光传感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物半导体、硅基(异质异构)集成、光电混合集成等领域,建设概念验证中心、研发先导线和中试线,加快科技成果转化进程。支持中试平台积极发挥效能。鼓励中试平台孵化更多创新企业。建设创新平台体系。聚焦前沿技术领域建设一批战略性平台。聚焦产业创新领域培育一批专业化平台。聚焦专业化服务领域建设一批服务类平台。
推动产业集聚发展 培育领军企业
强化光芯片产业系统布局。强化我省光芯片产业总体发展布局,支持有条件的地市研究出台关于发展光芯片产业的专项规划,加快引进国内外光芯片领域高端创新资源,形成差异化布局。支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势,结合本地区当前发展人工智能、大模型、新一代网络通信、智能网联汽车、数据中心等产业科技的需要,加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群,打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链,积极培育光计算芯片等未来产业。支持依托半导体及集成电路产业集聚区,规划建设各具特色的光芯片专业园区。
大力培育领军企业。支持引进和培育一批领军企业,支持孵化和培育一批科技型初创企业,支持龙头企业加强在粤布局。加强合作协同创新。积极对接国家集成电路战略布局,争取一批国家级光芯片项目落地广东。积极对接港澳创新资源。积极对接国内外其他区域创新资源。
加快关键材料装备攻关 产业强链补链建设
加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。
推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策,加快光芯片关键设备更新升级。
支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。
加强光芯片设计研发。鼓励有条件的机构对标国际一流水平,建设光芯片设计工具软件及IP等高水平创新平台,构建细分领域产业技术创新优势。支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。
加强光芯片制造布局。在符合国家产业政策基础上,大力支持技术先进的光芯片IDM(设计、制造、封测一体化)、Foundry(晶圆代工)企业,加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料,以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。
提升光芯片封装水平。大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装(CPO)以及光I/O接口等先进封装技术,紧贴市场需求推动光芯片封装测试工艺技术升级和能力提升。
为保证行动方案的有效落实,省半导体及集成电路产业发展领导小组统筹推进全省光芯片产业布局,整合各方资源,协调解决重大问题。统筹用好现有专项资金支持光芯片产业发展,在基础研究、成果转化、推广应用、龙头企业招引、人才引进等方面给予稳定资金支持。积极吸引国内外光芯片龙头企业在粤设立总部、投资建设重大项目,建立重大项目投资决策和快速落地联动响应机制,强化各项资源保障。
《行动方案》原文:https://mp.weixin.qq.com/s/3AA7YMsEMGVtRPqYSzF71Q