华为、哈工大联手：基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布

  ICC讯 近日，华为技术有限公司与哈尔滨工业大学共同申请了一项名为“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片混合键合方法”的专利。该专利已在2023年10月27日申请公布。

  据悉，这项新发明涉及芯片制造技术领域。其工作流程包括制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品，并进行等离子体活化处理。随后，将这些经过等离子体活化的Cu/SiO2混合键合样品浸泡在有机酸溶液中进行清洗，然后将其干燥。

  接下来，在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品上滴加氢氟酸溶液，形成预键合表面。接着，对准贴合并进行预键合操作以得到预键合芯片。最后，通过热压和退火处理来完成整个混合键合过程。

  这一创新的技术方法实现了使用Cu/SiO2混合键来连接不同材质的硅与金刚石，实现三维异质集成的效果。此发明有可能带来未来芯片制造技术的重大突破。

  需要注意的是，此新技术可能会引发培育钻石概念的涨幅超过16%。