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合作征集 | 为科技成果寻求合作机遇 提高产业核心竞争力

摘要:围绕电子科技大学电子科学与工程学院,推出体声波滤波器、磁场传感器、气体传感器、铌酸锂薄膜等成果,期待您的垂询,让科技成果真正在企业转化落地、开花结果。

  ICC讯 成果转化是科技创新关键,推进科技成果转化,是提升产业能级与核心竞争力的关键。讯石与成都电子科大科技园深入合作,走进电子科技大学电子科学与工程学院,立足于企业需求,充分发挥成果转化产、学、研、用各方的作用,展开一对多精准对接活动。

  本次活动围绕电子科技大学电子科学与工程学院,推出体声波滤波器、磁场传感器、气体传感器、铌酸锂薄膜等成果,期待您的垂询,让科技成果真正在企业转化落地、开花结果。咨询请联系:凌先生 18664318242(微信同号)

项目详情

01 硅基铌酸锂薄膜集成光电子器件

知识产权授及获奖情况:专利申请 1 项,授权 1 项

成果主要应用行业:新材料

成果简介:采用硅基铌酸锂薄膜晶圆,通过表面图形化工艺,实现硅基铌酸锂薄膜光学器件的制 备。该技术路线可实现铌酸锂光学器件的小型化,为未来铌酸锂与硅基光学器件的全片 上集成打好基础,可实现铌酸锂调制器与激光器、隔离器等器件集成,可广泛应用与军 用通信、星间星地通讯、相控阵雷达、高速骨干网等军用民用领域。

4 英寸单晶 LN 薄膜晶圆材料

4 英寸单晶薄膜 BAW 器件晶圆



成果形式:样品

成果所处阶段:实验室

合作意向:合作研发

02 各向异性磁阻开关芯片及磁场传感器

知识产权授及获奖情况:四川省科技进步三等奖(2016)

成果主要应用行业:电子 、新能源与节能、自动化

成果简介:采用敏感薄膜与集成电路芯片单片集成的方法,通过电路对采样时间的调控,实现 了超低功耗的磁阻接近开关芯片。通过对敏感单元尺寸的调控,获得高灵敏、高线性度 的磁场传感器芯片。 与国外同类产品(如 Honeywell SM353LT(开关芯片),HMC1501(磁场传感器芯片)) 主要技术指标相当,可以实现国产替换。


SOT23 封装的开关芯片及输出特性

QFN 封装的磁场传感器芯片及输出特性


成果形式:样品

成果所处阶段:样品样机(产品)

合作意向:合作研发、技术融资

03 基于物联网应用的气体传感器

成果主要应用行业:电子

知识产权授及获奖情况:授权专利 5 项

成果简介:基于国家重点实验室制备的热释电红外敏感材料,采用 TO5 标准封装,开发具备探测率高,响应快,温度补偿特性的热释电红外核心器件。基于不同气体分子激发不同分子振动方式吸收不同红外辐射波长的原理,设计非分光气体传感器(NDIR)。其主要组成为光源、气室和热释电探测器,通过双通道设计,封装不同滤光片,根据比尔朗伯定律通过对比参考通道(REF)的信号比值来计算出检测气体的浓度。该气体传感器采用Φ20*18mm 标准外形尺寸和管脚封装,集成了自主知识产权的热释电红外核心器件、通用型红外光源和经过优化设计的气室结构和处理电路。设计对信号进行综合处理的集成控制盒,该控制盒由信号采集与处理电路模块、物联网通信模块、外显示屏和壳体构成。采用传感器和控制盒的分离式设计,添加和更新(含远程)底层采集和处理软件的方式,实现对气体传感信号的采集和传输。

成果形式:样品

成果所处阶段:样品样机(产品)

合作意向:合作推广

04 新一代高频宽带薄膜体声波滤波器技术

成果主要应用行业:通信

知识产权授及获奖情况:授权中国发明专利 7 项

成果简介薄膜体声波(BAW)滤波器具有插损低、体积小、易于集成的优点,是射频模块微系统化必不可少的无源器件。随着射频系统向高频、宽带的技术方向发展,BAW 滤波器也必须具备更高的工作频率和更大的工作带宽。但现有 BAW 滤波器均以多晶 AlN 压电薄膜材料为基础,导致其在频率和带宽两方面均面临着难以克服的瓶颈问题。一方面,要提高 BAW 器件的频率就必须降低 AlN 薄膜的厚度,例如 Ku 波段的工作频率要求 AlN 的厚度 降低到 300nm 以内,但 AlN 薄膜采用生长法制备,界面过渡层的存在导致超薄的 AlN 薄 膜难以维持良好的压电性能;另一方面,要获得更大的带宽就必须制备更高机电耦合系数(kt2 )的压电薄膜,尽管通过 Sc 掺杂的方式能够将 AlN 的 kt2从 6.5%提升至 15%左右, 但仍然无法满足宽带射频系统 10%以上分数带宽的要求,且掺杂同样会恶化 AlN 薄膜的 性能从而导致器件损耗的大幅增加。

本成果针对现有 AlN 基 BAW 滤波器在频率和带宽两方面的问题,建立了单晶铌酸锂(LN)薄膜 BAW 器件的技术路径。攻克了微声器件多物理场耦合仿真、低内应力单晶薄膜离子束剥离、低损伤单晶薄膜表面平坦化、大面积晶圆异质键合、晶圆级单晶薄膜厚度控制等关键技术,研制出高机电耦合系数单晶 LN 压电薄膜材料和宽带高频单晶薄膜BAW 滤波器器件,单晶压电薄膜材料机电耦合系数达到 19.82%,单晶薄膜 FBAR 滤波器带 宽达到 10%,从根本上突破了现有技术的瓶颈。

成果的创新性体现在两个方面。一是切向可控、可转移的 LN 单晶薄膜材料技术。基 于单晶压电薄膜振动模型提出了切向选取方法,建立了高温低束流的高能离子注入方法, 解决了特殊切向单晶 LN 薄膜注入过程易裂片、膜层剥离不完整的难题,实现了特殊切向 单晶 LN 薄膜的制备。二是含器件结构的单晶薄膜异质集成方法。提出了“离子刻蚀+CMP” 的薄膜表面处理方法,发明了含器件结构的非平坦表面异质键合技术,解决了多层薄膜 异质集成中内应力大、易脱落的难题,实现了含薄膜体声波滤波器结构的 4 英寸晶圆制 备。围绕以上创新点以布局发明专利 30 余项,授权 7 项,在薄膜 BAW 滤波器领域摆脱了 美国的专利封锁和技术限制,关键技术自主可控,核心技术具有自主知识产权。

该成果走出了一条新的技术路线,总体技术达到国际先进水平,其中含器件结构的单晶薄膜异质集成方法,属于国际首创。项目成果已在高性能宽带滤波器中获得应用,具有显著的经济和社会效益,在相控阵雷达、电子对抗、综合数据链以及 5G 通信等军民领域有广阔的应用前景。

 

成果形式:样品

成果所处阶段:产业化

合作意向:技术融资

内容来自:讯石光通讯咨询网
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2021/11/08/20211108082109890822.htm 转载请保留文章出处
关键字: 科技成果
文章标题:合作征集 | 为科技成果寻求合作机遇 提高产业核心竞争力
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