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CIOE 2021|济南晶正电子携多款铌酸锂单晶薄膜材料亮相

摘要:2021年9月16-18日,济南晶正电子科技有限公司参加中国国际光电博览会(CIOE 2021)深圳国际会展中心(宝安新馆)6号馆展位号:6E104、6E105,欢迎新老朋友莅临参观指导交流!

       ICC讯 2021年9月16-18日,济南晶正电子科技有限公司参加中国国际光电博览会(CIOE 2021)深圳国际会展中心(宝安新馆)6号馆展位号:6E104、6E105,欢迎新老朋友莅临参观指导交流!

      济南晶正电子科技有限公司成立于2010年, 坐落于济南市综合保税区,是一家致力于纳微米级厚度光电、压电单晶薄膜材料研发、生产及销售为一体的高新技术企业。公司产品涵盖多种规格铌酸锂、钽酸锂单晶薄膜材料,可用于制作高性能调制器、滤波器、探测器、晶振及高密度信息存储器件等,在光电、压电、铁电、太赫兹、红外探测等领域具有广泛的发展前景和显着的应用优势,能够带来巨大经济效益和社会效益。

      铌酸锂单晶材料,与硅材料相比具有更高的电光系数和二阶非线性系数(硅材料没有二阶非线性),在透光波段方面也具有更大优势。另一方面和体块的铌酸锂材料相比,用铌酸锂薄膜材料和衬底材料较高的折射率对比度,制作的光波导具有更小的模场面积,能够实现更小的弯曲半径,可以实现接近硅基光子器件的集成度。

       铌酸锂材料最新的发展方向是基于薄膜材料与CMOS半导体工艺相结合。利用现有的半导体微加工技术并充分发挥铌酸锂薄膜高集成度、高折射率比、高电光系数等优势,在光子集成、量子集成芯片等方面具有重要应用潜力。

       展会期间,欢迎大家前往6E104、6E105参观指导交流!


内容来自:讯石光通讯咨询网
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2021/09/16/20210916220953662822.htm 转载请保留文章出处
关键字: 晶正|CIOE
文章标题:CIOE 2021|济南晶正电子携多款铌酸锂单晶薄膜材料亮相
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