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CIOE 2020 | 华兴激光:充沛产能面向光通信应用 具备多种光芯片材料外延能力

摘要:CIOE2020期间,化合物半导体光电子外延材料供应商华兴激光隆重展出国产外延片产品,包括2/3/4英寸InP基激光外延片、2/3/4英寸InP基探测外延片、2/3/4/6英寸GaAs基高功率激光外延片等,国产光芯片外延材料的发展获得现场客户的高度关注。

  ICC讯 CIOE2020期间,化合物半导体光电子外延材料供应商江苏华兴激光科技有限公司(简称华兴激光)隆重展出国产外延片产品,包括2/3/4英寸InP基激光外延片、2/3/4英寸InP基探测外延片、2/3/4/6英寸GaAs基高功率激光外延片等,国产光芯片外延材料的发展获得现场客户的高度关注。

江苏华兴激光科技有限公司展台

  据了解,半导体激光器可以先后分为外延工艺、芯片工艺和封装工艺,华兴激光便专注在前道外延工艺(Epi-wafer)上,使用先进的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,发挥中科院半导体所在材料外延上的技术积累,为激光器芯片做好前道工序服务,而材料外延也是光芯片制备工艺的核心环节,其晶格质量直接决定光芯片的工作性能。

  据介绍,华兴激光专注于化合物半导体光电子外延产品,面向高速光通信和高功率型光加工领域应用,具备多种光芯片材料外延能力。

  目前,公司GaAs、InP基激光外延片(折合2inch)年产能可达10万片以上,具备充裕产能满足市场需求。

  在光通信应用方面,公司可批量供应1270nm/1310nm2.5G 小发散角DFB外延片及高速10G、25G DFB外延片。在25G产品上,公司产品涵盖CWDM 6波到LWDM 12波整个DML产品系列。该系列产品已通过客户多批次5000小时加速老化认证。

  在GaAs基产品方面, 华兴激光推出多款大功率FP/DFB激光外延片,尤其是面向激光雷达(LiDAR)应用而推出的905nm GaAs基高功率激光外延片性能指标达国际先进水平并稳定批量出货。980nm GaAs基高功率激光外延片单管连续出光功率大于20W,电光转化效率大于60%,迈入业内一流水平。

  此外,华兴激光在高速PD/APD外延片制造上同样积累了丰富经验,掌握高性能外延制造技术,为客户提供定制化代工服务。

华兴激光总经理罗帅(中)与讯石团队合影

  华兴激光是国内首家专注于化合物半导体光电子外延片研发和生产的国家高新技术企业。公司建有包括50余台套薄膜材料外延(MOCVD)、微纳结构加工(全息/电子束光刻)以及晶圆检测设备在内的先进化合物半导体生产线,掌握完全自主知识产权的2英寸-6英寸砷化镓(GaAs)基和磷化铟(InP)基半导体激光(LD)和探测(PD)外延片量产技术,其中,1310/1550 nm波段10G/25G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等产品性能达到国际先进水平,广泛应用于5G通信、激光雷达、激光泵浦、激光显示等领域。

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