CUMEC公司超厚氧化膜生长工艺技术取得突破

  ICC讯 为满足SIN波导开发需求，今年5月开始CUMEC公司组织开展了“微米级超厚高质量氧化膜生长工艺”核心技术的自主研发攻关，并于近日取得重大突破。

  在半导体制造业，微米级超厚高质量氧化膜生长工艺是一个高难度的非常规工艺。对于CUMEC公司新建的8吋工艺平台来说，国内没有类似的工艺可供参考，更得不到外界的技术支持，一切都需要从零开始。新工艺的研发是艰难的，需要进行大量的单项工艺试验，工艺开发从来都不是一帆风顺的，CUMEC工程师们废寝忘食，或查询文献资料，或向资深工程师请教，或多模组配合开展头脑风暴，大家心往一处想、智往一处谋、劲往一处使，经过近60个日夜的奋战，微米级的高质量氧化膜的首批样片终于制备完成，标志着CUMEC公司在特殊原料替代进口、降低成本的道路上迈出了关键的一步。

  在CUMEC公司发展的道路上，不会一帆风顺，还会遇到很多的新问题、新挑战，但CUMEC人相信机遇与挑战并存，抓住机遇，克服困难、迎接挑战，CUMEC的发展道路定会越走越宽。