ICCSZ讯(编译:Vicki)II-VI Incorporated(NASDAQ:IIVI)是高功率半导体激光器的领导者,其宣布推出新一代泵浦激光二极管,可从单个芯片实现22W的高输出功率。
光纤激光器代表了工业材料加工成本的提高。单个激光二极管的功率的进步进一步代表了激光系统的成本优势。 II-VI的新型激光二极管可实现22 W的输出功率,比现有产品高出22%,使光纤激光器设计的发射器数量更少,适用于切割,焊接,钎焊和激光增材制造等应用。
II-VI激光部门总经理Karlheinz Gulden表示:“对我们的新激光芯片的需求被压抑,我们开始提高产量。客户越来越依赖II-VI在高功率半导体激光技术方面的创新,在性能,可靠性和成本方面生产出最具竞争力的光纤激光器。”
22W泵浦激光二极管的亮度分别为915和976 nm。激光芯片具有190μm宽的输出面,旨在实现广泛使用的200μm芯光纤的最佳耦合效率。这些芯片包括II-VI专有的E2前镜钝化,即使在极高的输出功率下也能防止激光器的灾难性损坏。新一代芯片成功完成了4000小时的加速老化。
II-VI的泵浦激光二极管提供裸芯片,陶瓷子安装芯片或光纤耦合多发射器模块。 II-VI用于光纤激光器的广泛组件包括种子激光器,声光调制器,光纤布拉格光栅,千瓦泵和信号组合器,以及用于高功率隔离器的IBS涂层激光光学器件和微光学器件。