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VI推出超速小功率垂直腔面发射半导体激光器芯片

摘要:近日,VI公司推出一款小功率(VCSEL)垂直腔面发射半导体激光器芯片,它具有短射程等特点,主要适用于数据通讯和互联网络中的光收发器产品。这款新上市的芯片支持高达20 Gbit/s的速度,支持多种模式的光系统,工作波长为850nm。
        近日,VI公司推出一款小功率(VCSEL)垂直腔面发射半导体激光器芯片,它具有短射程等特点,主要适用于数据通讯和互联网络中的光收发器产品。这款新上市的芯片支持高达20 Gbit/s的速度,支持多种模式的光系统,工作波长为850nm。 

        新的VCSEL运行于中等密度环境,小于3 kA/cm2。相较传统的垂直腔面发射半导体激光器,在同等电流环境下,它能够运行于更高的调制速度。在100摄氏度以下,温度对VCSEL产品的性能没有任何依赖。 

        VI公司是一家超速激光器,图象检测器件的研发和制造商,该公司专著于开发下一代高性能处理和高速率连接产品的市场,如IEEE, InfiniBand, Fiber Channel, CEI and HDMI,optical USB standards.


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内容来自:讯石光通讯咨询网
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2009/06/07/20090607235918305250.htm 转载请保留文章出处
关键字: 半导体激光器
文章标题:VI推出超速小功率垂直腔面发射半导体激光器芯片
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