深圳飞通光电股份有限公司10.5期间承担的国家“863”项目:10Gb/s光接收组件”子项10GHzPD芯片目前又取得重大进展,在前期10GHzPD芯片的基础上(主要是偏置电压较高,约10V),通过优化外延材料结构,目前又成功研制出低偏压下使用的实用化10GHzPD芯片,该芯片用同轴耦合封装形式做出的测试器件,用8703光波无件分析仪测试,在3V偏压下的3dB带宽达到10GHz。
芯片其它主要技术指标如下:响应度大于0.75A/W暗最流小于0.5nA,击穿电压30V以上。芯片带宽受封装影响,实际裸芯片的带宽应优于测试值。该芯片主要用于10Gb/s的光接收组件,也可用于其它高速光信号处理。