北京中科院半导体所研制成功紫外半导体激光器

讯石光通讯网发布时间:2005/5/31 9:02:01 编者:ICCSZ

摘要：北京中科院半导体研究所利用现有的Thomas Swan MOCVD设备生长制作出了世界领先的近紫外波长的半导体激光器。中科院半导体所在2年前购进安装并调试出了

北京中科院半导体研究所利用现有的Thomas Swan MOCVD设备生长制作出了世界领先的近紫外波长的半导体激光器。

中科院半导体所在2年前购进安装并调试出了此套设备，该套设备主要用于GaN器件的生长研究。经过2年多时间的不断试验和制作，在集成光电子国家重点实验室杨辉教授的带领和陈良惠教授带领的另外一个组的配合下，他们成功开发了国内第一个近紫外光的半导体激光器。这种激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱结构作为有源层，AlGaN/GaN超晶格作为包层，光波长为410nm。

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