三星计划2021年建成第三所综合性半导体工厂

  ICC讯  据韩国媒体ETNEWS报道，三星电子计划新建一家大型半导体工厂。鉴于面积比上一个增加了 50% 以上，因此，它采用“综合半导体工厂”的形式，同时生产 DRAM、NAND 闪存和其他器件，并有望引入最新的工艺技术。据悉，“P3”计划于今年9月在平泽动工，于2021年完成。

  ▲ 三星电子平泽工业区航空摄影 图源：三星电子官网

  据了解，三星电子此前在平泽已有名为“P1”和“P2”的半导体工厂，其中“P2”于去年完工。

  据业内人士21日透露，三星电子正准备在平泽建设一所更大的的半导体工厂“P3”，预计今年9月动工。目前三星电子对于该厂的建设已经做了大量前期准备。

  目前三星最大的半导体工厂“P2”长度为400米，据报道“P3”的长度将达到700米。“P3”预计将在明年8月前后完成，并在生产线调试完成后试生产，从2021年底开始量产最新工艺的芯片，包括生产图像传感器、DRAM、NAND 和SoC处理器等半导体器件。

  报道称，三星电子的目标是在2030年成为非内存半导体市场的领头者。