英特尔加速芯片制程工艺和封装技术创新

  ICC讯 7月27日，英特尔公司公布了公司有史以来最详细的芯片制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术创新，这些创新技术将不断驱动从现在到2025年乃至更远未来的新产品开发。此外，英特尔还公开了其代工服务首次合作的两位重要客户。

  除了公布其十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，英特尔还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻(EUV)技术的计划，即高数值孔径(High-NA)EUV。据悉，英特尔有望率先拥有业界第一台High-NA EUV光刻机。

  结合世界先进的研发流程，英特尔推出过诸多深刻影响了半导体生态的行业首创技术，如应变硅、高K金属栅极和3D FinFET晶体管等。现在，英特尔延续这一传统制定创新路线图，其中不仅包括晶体管级的技术增强，还将创新延伸至互联和标准单元级，以加快每年制程工艺的提升速度。

  在披露芯片制程工艺路线图时，英特尔宣布不再使用此前尺寸单位(如纳米)的数字来命名的方式，而是引入了基于关键技术参数包括性能、功耗和面积等的新命名体系。随着行业越来越接近“1纳米”节点，英特尔希望改变命名方式以更好地反映全新的创新时代。具体而言，在Intel 3之后的下一个节点将被命名为Intel 20A，这一命名反映了向新时代的过渡，即工程师在原子水平上制造器件和材料的时代半导体的埃米时代。

  英特尔表示，对于未来十年走向超越“1纳米”节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效，英特尔将持续利用硅元素的力量不断推进创新。