2023光电子技术高峰论坛｜分论坛一《通信光电子芯片与器件》圆满举办

  ICC讯    5月15日，由海思光电有限公司主办，讯石信息咨询承办的2023光电子技术高峰论坛在武汉成功举办，本次大会汇聚了400多位光电子领域专业人士，共同探讨光电技术的演进趋势，探索光联接和光感知的新机遇。其中，“通信光电子芯片与器件” 分论坛围绕高性能光/电芯片的技术演进趋势展开讨论，探索高速光/电芯片的技术实现和产业趋势，来自飞思灵、Lumentum、华中科技大学、傲科光电和中科院半导体研究所等机构的技术专家及学者进行了深度的分析与探讨。

  曹权 武汉飞思灵光电产品线技术总监

  武汉飞思灵光电产品线技术总监曹权发表《下一代高速相干光电芯片和器件的发展趋势和展望》报告，高速相干光技术具有更长的传输距离、更高的单纤容量以及高灵敏度的特点，被广泛地应用在长途传输应用场景。当前200G光模块已经批量应用，400G QPSK是未来几年的应用热点。相干光器件面临的主要挑战包括超高带宽、超宽波长范围和低成本，混合材料平台、智慧化设计与先进封装架构是相干光器件发展的新趋势。

  马广鹏 Lumentum传送产品线应用工程总监

  Lumentum传送产品线应用工程总监马广鹏发表 《窄线宽光源的趋势和技术演进》报告，从驱动力、可调原理、实现方法和发展趋势等四个方面展开探讨。带宽的持续增长是可调光源发展的主要驱动力，密集波分从刚开始4/8/16波发展到后面的32/40/48/96以及现有的120波，加上高速相干应用的引入和基于ROADM的业务调度需求，快速可调窄线宽可调光源必不可少。

  夏金松 华中科技大学教授

  华中科技大学夏金松教授发表《薄膜铌酸锂光子集成的进展》报告，薄膜铌酸锂光子集成芯片是实现高性能芯片自主可控的重要机遇。薄膜PPLN波导在AOWC应用的优势，包括小尺寸、超大光学带宽和低噪声系数等。而薄膜PPLN面临的挑战，主要是如何实现低成本的大规模制备工艺，尤其是采用DUV光刻制备LNOI光器件。

  曹建光 傲科光电市场发展总监

  傲科光电市场发展总监曹建光发表《128GB相干光通信关键技术》报告，伴随着DCI应用和高速相干模块的发展，相干技术成为应用场景更为广阔的技术选择。基于相干技术的通信链路具有高灵敏度、色散不受限、更长传输距离的优点。针对800G的应用，TFLN具有低插损和带宽大的优势，但同时也面临不能集成PD和不能收发集成等挑战。

  李明团队谢毓俊博士 中科院半导体研究所

  中科院半导体所研究员李明团队 谢毓俊博士发表《高速光通信器件建模及光电系统仿真应用》报告，重点介绍了多种光子器件的多种模型建模仿真等，包括MZM、Ge/Si PD以及光栅耦合器等。

  甘甫烷 中科院上海微系统所研究员

  中科院上海微系统所研究员 甘甫烷发表《硅基光调制器发展研究》报告，如今蓬勃发展的数据需求使高度集成的光电芯片进入前所未有的发展舞台。硅基光子技术是可以大规模实现光子集成的一个优良技术平台，能提供高带宽、低功耗、小尺寸的硅基调制技术，可以适用于单波长200Gbps技术、共封装光学（CPO）、以及近期产业热点可插拔线性驱动应用（LPO）。

  祁楠团队李乐良博士 中国科学院半导体研究所

  中科院半导体所研究员祁楠团队 李乐良博士发表《CMOS工艺兼容的硅基光电集成互连芯片设计》报告，光互连芯片应用前景明朗，网络芯片光接口和计算芯片光接口新型应用为光互连芯片带来更大的应用空间。基于CMOS工艺的光电集成互连芯片可实现高带宽密度、高能耗效率。芯片光接口开展光电融合集成芯片研究，可以形成从芯片-器件-系统的完整光电融合理论体系，突破光路与电路的协同设计技术。

  毕晓君 华中科技大学教授

  华中科技大学毕晓君教授发表《高性能硅基高速电芯片》报告，当前业界聚焦快响应TIA/CDR和高波特率TIA/Driver，包括高动态范围TIA和突发模式PAM4 CDR。当前高速电路的带宽已经接近硅晶体管支撑的极限, 为立足现有工艺水平，提高电路速率，驱动放大器提出分布式基极反馈线性化结构，在维持低谐波失真的同时大幅提高增益带宽积，可将驱动放大器的速率从业界最高的64 GBaud大幅提高至130 GBaud。

  总 结

  众所周知，决定光模块性能关键在于底层的光/电芯片。本次“通信光电子芯片与器件”分论坛重点讨论了光电芯片的系统需求和技术研究热点，展望了高性能光电芯片技术的未来演进。