正源公司核心设备MOCVD投入使用，DFB激光器研发成功

 金属有机化学气相沉积（MOCVD）是半导体材料外延生长的重要技术，是目前广泛采用的化合物半导体薄层单晶的先进方法，特别在生长量子阱和超晶格方面有较大优势，更因为这种生长方法可以控制到纳米量级，所以在高端、高速的光电器件，渐变单量子阱或多量子阱结构，光电集成器件以及“能带工程”等领域的研制开发上成为核心技术。
    正源公司为达到具有自主知识产权，具备技术核心竞争力的目标，引进了英国Thomas Swan公司生产的用于InP、GaAs等三、五族材料系生长的MOCVD。该设备投入使用对公司发展有重大意义，为公司产品的升级和以后高端产品的研发提供了条件，在高端激光器制作中真正实现了全程工艺链，为真正达到具有国内领先和国际竞争力的目标打下了基础。
    目前管芯研发部在DFB高端激光器开发上已取得成功，完成了RWG结构1310、1550nm DFB激光器的研制。现阶段选择InGaAsP或AlGaInAs材料，采用折射率耦合结构的设计，利用全息光刻技术完成对布拉格光栅在波导层上的制作，二次外延利用MOCVD技术完成腐蚀停止层、InP层、1.3和1.5微米InGaAsP以及InGaAs高掺杂接触层的生长，生长表面良好；在结构上运用常用直墙（VM）或反向梯形（RM）的结构设计；同时进行了减少热阻和串联电阻的优化，以平面图形电极实现上述要求；根据测试结果，1310nm、1550nm波长的DFB型RWG激光器部分指标均已达到目前国内外同类产品的水平，在阈值到较大电流范围内可以实现全程单模，镀膜前单模成品率前达到50％以上。由于工艺条件比较稳定，DFB激光器将于9~10月开始进行批量生产。
    管芯研发部已计划进行DC-PBH结构DFB激光器、λ/4相移光栅DFB激光器、特殊设计减小SBH的CATV用DFB激光器、啁啾光栅DFB激光器以及增益耦合DFB激光器等项目研究，这些高端产品的研发将提高正源公司的技术水平和产品结构，将加快高科技和高利润的结合，同时形成技术竞争优势。