硅芯片光通讯技术取得突破

        一个由欧、美两地研究人员所组成的团队，让达到100Gbps的硅芯片上传输速度成为可能；该技术将特别有益于电信产业，并为全球不断增加的网络信息流量获得缓解之道。

　　该研究团队成员分别来自瑞士ETH大学、比利时研究机构IMEC、美国Lehigh大学，以及德国Karlsruhe大学；他们成功制造出一种具备高度非线性特征、超高速的光波导(optical waveguide)架构。

　　由于在这类组件中，光子信号不必再转换成电子信号，因此被视为是达成全光学信号传输的关键组件。为了达成这个目标，研究人员采用SOH (silicon-organic hybrid)方案结合标准CMOS制程、深紫外光刻技术，以及有机中子束沉积(organic molecular beam deposition)技术。

　　这种仍在研发中的组件，是一个仅有4mm长的微小SOH波导，但在1.55μm的电信窗(telecommunications window)中拥有105 (Wkm)-1的创纪录非线性系数(nonlinearity coefficient)。该芯片被研究人员视为SOH概念的例证，也是第一次可能确认该技术理论预测可达到的传输速度。

　　研究人员掺杂了速率分别为42.7Gbps的四道信号，完成一个多任务170.8Gbps信号；这是迄今所展示过、速度最快的硅光子光学信号处理。他们表示，该实验证实了SOH波导技术应用于高频宽电信信号全光学处理的可行性，并克服现有全光交换技术的瓶颈。

　　到目前为止，利用硅晶波导技术达成的数据传输速率，受限在40Gbps左右。而利用有机材料来填满波导间的缝隙(slot)，则是沉积制程的主要功能。该芯片电路是由Karlsruhe大学的研究人员所设计，并在IMEC的硅光子平台上制造。