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优秀技术奖丨长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片

摘要:长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片荣获第十届讯石英雄榜优秀技术奖

  12月28日,讯石英雄榜颁奖典礼在苏州顺利举办,光通信领域专家从参选产品的技术、成本、市场占有率、客户满意度和第三方权威验证等数据,并结合经营业绩、增长率、研发强度、专利等,评定出2023年度讯石英雄榜上榜单位。

  长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片荣获第十届讯石英雄榜优秀技术奖。

优秀技术奖获奖企业合影

长光华芯获奖产品

  长光华芯单波100Gbps (56Gbaud四电平脉冲幅度调制(PAM4))电吸收调制器激光二极管(EML)芯片:

  支持四个波长的粗波分复用(CWDM),达到了使用4颗芯片实现400Gbps传输速率,或8颗芯片实现800Gbps传输速率的应用目标。

  采用脊波导结构,支持4个CWDM波长-1271、1291、1311和1331nm,允许不同波长的光信号在单个光纤中复用,从而减少所需要的光纤数量。

  电吸收调制器调制速率达56GBd,可使用56GBd PAM4信号支持112Gb/s,具有高功率、低功耗、高带宽、低RIN,oDSP直驱、高可靠性的优点。

  符合RoHS标准和Telcordia GR-468标准,是当前400G/800G 超算数据中心互连光模块的核心器件。

  长光华芯2012年成立于苏州,采用IDM模式,突破外延生长、芯片制造、封测各环节关键技术及工艺,拥有半导体激光行业中最大的6吋生产线。构建了砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓(GaN)三大材料体系,具备边发射和面发射两大芯片结构技术和工艺生产平台。

长光华芯IDM全流程工艺平台

  在光通信方面,长光华芯从2010年就开始了磷化铟激光芯片产线的布局,经过多年的攻关和筹备,长光华芯已攻克材料外延生长的精确控制和稳定性难题以及激光电流的氧化限制控制难题,致力于高速率光通信芯片的设计、研发、生产及销售。目前长光华芯已向市场批量供应高速光通信激光芯片、光电探测器芯片等多个产品类别,产品性能指标先进。

  目前长光华芯10G EML、100mW CW DFB、50G PAM4 VCSEL、56GBd PAM4 EML CoC等多款产品已向市场批量供应,应用覆盖接入网、数据中心场景下的10G、100G-800G速率的多种应用。

  同时结合AI时代数据中心DC建设对核心光芯片的需求,公司也在全力研发攻克更高性能水平光通信芯片产品的技术和工艺难点,助力海内外客户和弥补行业缺芯痛点。

  长光华芯光通信系列产品,让通信和超算搭上“光速”!

内容来自:长光华芯
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2024/01/02/20240102080007756451.htm 转载请保留文章出处
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文章标题:优秀技术奖丨长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片
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