光迅科技：2017年自研中高端芯片助力业绩加速 首期限制性激励解锁

　　ICCSZ讯  2016年12月30日，光迅科技公告首期限制性激励股份满足解锁条件。第一批解锁股份共204.8万股(授予价19.52元)；海通证券对此预计2017年1月相关限制性激励解禁股份办完解锁条件后流通上市。

　　2017年，自研中高端芯片助力业绩加速。光迅科技自研10G光模块芯片经过2015-2016年的稳定改进及产能放量，2017年10G光模块芯片自给率有望大幅提升。

　　高端市场供不应求的100G光模块，光迅科技预期2017年下半年实现芯片量产，实现国内100G高端光模块芯片领域的自研及量产突破，芯片逐步自产也将大幅提升目前100G光模块的出货产能；

　　公司此前11月30日公告的拟以1000万美元现金增资全资子公司AccelinkUSACorporation(光迅美国)，在美国建设为期1.5年的高端产品研发中心，即是配套公司100G光模块芯片的量产及后续封装环节。

　　受益互联网流量爆发对运营商传输网/接入网中高速光模块需求的快速增长、云数据中心市场10/40/100G光模块需求的高速增长，2017年光迅科技有望实现收入高速增长、毛利率及净利率双升的业绩共振。