【日经BP社报道】 美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校(UCSB)宣布“在全球率先开发出了利用混合硅倏逝波激光器原理的锁模激光器”(UCSB)。经验证可在40GHz下输出与现有激光器半导体元件相同水平的脉冲振荡。该成果已刊登在2007年9月3日出版的《Optics Express》上(论文>)。
激光器由UCSB电子及计算机工程系教授John E.Bowers与英特尔的共同研究小组开发。混合硅倏逝波激光器是该小组2006年9月发表的电流激励型激光器元件,由硅类波导组成的腔体和GaAs、InP等化合物构成(参阅本站报道)。这次,研究小组利用相同的元件结构,把工作性能提升到了实用水平。
锁模激光器输出的激光脉冲中,每个脉冲所含的几种波长的光的相位基本一致。脉冲光谱由间隔基本一致的波峰组成。即使脉冲宽度非常短,也有较高的稳定性,具有消光比大,波动低,噪声低的优良性质。因此被大规模用作大容量光通信的收发元件。经确认,由GaAs等化合物组成的锁模激光器最大可在500GHz下工作,通常使用的是在40GHz左右的频率下工作的激光器。
此次的锁模激光器可在40GHz下工作,脉冲宽度最小仅为4ps。消光比高达18dB,“可用于通信运营商的光通信收发和生成时钟”(该论文)。
除电流激励式激光器元件外,UCSB与英特尔的研究小组在2006年9月以后还利用硅倏逝波激光器的元件结构,开发出了增益约为13dB的光放大器,波长为1.5~1.6μm时量子效率为90%的受光元件(2007年7月发表在《materialstoday》上的另一论文):“确信该元件可以利用于大规模光集成电路”。(记者:野泽 哲生)
来源:技术在线