武汉鑫威源实现高性能氮化镓激光芯片研制及产线通线试产

  ICC讯 近日，武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称“武汉鑫威源”）发布消息称，公司在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体激光器芯片产线顺利完成通线试产。

  据公开消息显示，武汉鑫威源是一家专注于氮化镓半导体激光器芯片的设计、开发与制造的高新技术企业，致力于推动国产氮化镓半导体激光器的产业化进程。在湖北武汉江夏区政府及相关部门的大力支持下，鑫威源完成了厂房建设。厂房位于江夏经开区大桥智能制造产业园，于2024年4月完成了厂房建设，总投资10亿元。同时，无尘车间内的恒温恒湿、净化、水处理及安全系统也相继达标并投入使用。

  据悉，在项目团队的不懈努力下，鑫威源厂房竣工后迅速完成了超过一百台套制造设备的安装和调试，成功打通了芯片制造产线。在厂区内，公司完成了相关技术能力的转移，并顺利进行了产品试验生产。今年9月，武汉鑫威源实现了蓝光450 nm激光芯片的重大技术突破：阈值电流小于 0.25 A，功率大于7 W@3.5 A，光电转换效率WPE达到45%，芯片综合技术指标处于国内顶尖水平。产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求，为后续的量产奠定了坚实的基础。

  作为新兴光电子行业的高科技企业，武汉鑫威源电子科技有限公司旨在建设一流的氮化镓大功率半导体激光器全流程的研究及生产平台，企业相关负责人表示：在项目投产后，将弥补国内白，企业也会将促进氮化镓半导体激光器在国内的应用和发展作为己任，持续推动行业技术进步和产业升级。

  此次通线试产的成功，不仅展示了武汉鑫威源在氮化镓激光芯片技术领域的强大实力，也标志着企业在实现国产氮化镓半导体激光器产业化方面迈出了关键一步。未来，武汉鑫威源将继续致力于技术创新和产品质量提升，为国内外市场提供高性能、可靠的氮化镓半导体激光器产品，助力光电子行业的蓬勃发展。