OFC 2025 | 铌奥光电亮相1.6T/3.2T超高速薄膜铌酸锂产品

  ICC讯 4月1- 3日，2025年光网络与通信研讨会及博览会(OFC 2025)将在美国旧金山莫斯康尼会展中心。届时，领先的薄膜铌酸锂技术提供商铌奥光电（Liobate）将展示其最新的薄膜铌酸锂（TFLN）芯片与器件，包括3.2T DR8, 1.6T DR8/2*LR4, 1.6T Coherent PDMIQ, Intensity Modulator（110 GHz）及各类定制产品，展位号：#4312，真诚邀请各位业界同仁前来参观交流。

  随着人工智能、自动驾驶等新兴应用的加速演进，光芯片在带宽和能耗方面的性能边界正面临严峻挑战。薄膜铌酸锂光芯片凭借其优异电光调制性能与高集成度，成为业界公认的下一代集成光电子核心技术。

  作为全球极少数掌握薄膜铌酸锂光芯片全链条核心技术并实现规模量产的企业，铌奥光电凭借自主可控的工艺平台和领先的产品研发能力，成功开发出具有超大调制带宽(>110GHz)、超低驱动电压(<1V)以及小尺寸（平方毫米量级）的薄膜铌酸锂电光调制器，并以其为核心构建多种高端光芯片。

  铌奥光电的高性能芯片是构建高速光互联网络、高性能射频仪器仪表等应用的理想选择。公司已与多家全球头部科技企业达成战略合作，逐步实现用于智算集群内互联的800G/1.6T/3.2T IMDD光芯片、用于智算集群间互联的128G Baud PDMIQ光芯片以及67/110 GHz超高带宽强度调制器等高性能产品的规模化应用。