AXT向主要客户提供首批8英寸GaAs晶圆

  化合物半导体衬底制造商AXT已开发出其首批8英寸GaAs衬底并将其给了主要客户。这些8英寸GaAs衬底是掺硅n型衬底，具有低腐蚀坑密度(EPD)和低水平滑移线。

掺硅n型衬底表现出低腐蚀坑密度(EPD)和低水平滑移线

  “这是AXT的一项重大成就和重要里程碑，”首席执行官Morris Young说，“直径大小的每一步提升都伴随着生产技术挑战的大幅增加。但是，AXT一直是该领域的先驱，以企业家精神来推动创新，以释放新应用的潜力。此外，我们第一批晶圆的材料质量证明了我们对品质卓越的承诺和我们VGF晶体生长工艺的差异化。我们很高兴能够在扩展性、低应力和低缺陷率方面为我们的客户提供有意义的优势。”

  由于大批量应用的市场发展，许多客户对AXT表示了浓厚兴趣，这些应用包括用于3D传感器和LiDAR的VCSEL，以及用于显示器的microLED。AXT预测，当这些应用被采用后，对8英寸GaAs晶圆的需求范围将会扩展。

  Young接着表示：“尽管我们在这个项目上仍有开发工作要做，但我们在定兴和喀左新建的世界一流的生产设施可以使8英寸砷化镓晶圆具有商业可行性。AXT的两个新设施都是专门为大批量制造化合物半导体衬底而设计和建造的，使用了先进的设备和改进的自动化。此外，在设计新设施时还考虑到了制造量的扩大，我们相信我们有一条开发和推出8英寸砷化镓衬底大批量生产线的捷径。"