CIOE 2024 | 国科光芯800G/1.6T TFLN/SiN异质集成硅光芯片 展位号11D83

  ICC讯 2024年9月11日-13日，第二十五届中国国际光电博览会(CIOE中国光博会)将在深圳国际会展中心隆重举办。来自全球超30个国家和地区的超3700家优质企业汇聚深圳，共赴一场覆盖光电应用全产业链的行业盛会。

  本次展会，国科光芯(海宁)科技股份有限公司将携子公司凯伟佩科(海宁)光电有限公司，重点面向光通信及传感两大领域，展出800G/1.6T TFLN/SiN 异质集成硅光芯片、FMCW激光雷达光引擎、消费类激光雷达以及可调谐窄线宽激光器等系列产品。

  展位1信息通信展馆：11D83(光通信应用)

  展位2智能传感展馆：6B45 (传感应用)

  两大应用领域产品同时展出，诚挚邀请各位行业朋友莅临展台观展交流!!!

  国科光芯自成立以来，一直专注于氮化硅(SiN)技术平台的研究与创新，掌握核心芯片流片技术，致力于成为全球领先硅光芯片技术及整体解决方案公司。经过多年的工艺迭代和技术积累，国科光芯成功打通了8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传输损耗0.1dB/cm的氮化硅硅光芯片量产能力，工艺良率超95%。基于成熟可量产的氮化硅工艺技术，公司开发并搭建氮化硅(SiN)与薄膜铌酸锂(TFLN)异质集成技术平台，充分发挥SiN传输低损耗以及TFLN高带宽的性能优势，

  本次国科光芯光通信应用展台重点展出800G/1.6T TFLN/SiN异质集成硅光芯片，助力AI应用智算中心高速光互联。

  1.6T DR8 TFLN/SiN Tx PIC 产品特性：

  · SiN and TFLN heterogeneous integration technology

  · Integrated 8 optical lanes, each supports 106.25GBaud data transmission rate

  · One LD input drives 4 optical lanes, with total on-chip loss is 13.7dB in typical

  · Operating wavelength range is from 1304.5nm to 1317.5nm

  · Modulator 3dB EO bandwidth > 67GHz with Vpi < 3.0V

  · Large spot size SSC design with I/O optical coupling loss is < 1.5dB, respectively

  届时现场将展出公司最新技术进展以及更多高速芯片解决方案，欢迎各位光通信行业专家莅临国科光芯展台(11D83)参观指导。