重庆光电技术研究所针对温度对In0.53Ga0.47As SPAD暗计数的影响，对暗计数的组成进行了详细分析，研究了各结构层中载流子在强电场下的温度特性，并进行了结构优化。

滨松公司为数据中心互联光模块及5G承载光模块，研发了一系列具有高一致性、可靠性的InGaAs PIN PD探测器(单点、阵列、前照式、背照式)，覆盖25 G~800 G中长距离(500 m~10 km)光模块需求。

山东中芯光电科技有限公司发布国内首款40nm 宽波调谐SSG-DBR可调激光芯片。该款芯片采用InP/InGaAsP材质，通过前后两个超级光栅实现40nm左右波长调谐范围，是首款国产SSG-DBR可调谐激光芯片。

敏芯半导体10G EML激光器系列采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺，具有低功耗、高带宽、高可靠性等特点。为便于追溯，芯片正表面提供十进制数字编码。

光通信应用中光接收组件PD ROSA的灵敏度由ROSA中PD光响应度和ROSA的噪声决定。ROSA噪声包含PD的噪声和TIA的噪声。对于25G PD ROSA，由于TIA的噪声电流在整个ROSA的灵敏度影响因素中占了绝对主导地位，PD的暗电流大小对ROSA灵敏度影响已经非常小。这就从理论上解释了目前暗电流比传统III-V族材料高2个数量级(1nA vs. 100nA)的Ge/Si PD ROSA的灵敏度和InGaAs材料的PD ROSA一样甚至更好。

2021上海光博会期间，浙江光特科技有限公司产品InGaAs大光敏面APD 芯片获得由中国激光光学年会举办的中国激光“金耀奖”铜奖。本次公司还展示了硅光子集成芯片产品，得到了众多应用端客户的强烈关注。

近日，泉州市科技局公布了第四批引进高层次人才团队项目立项结果，中科光芯团队“InP半导体光电子研究团队”的项目“25Gbps及以上光芯片用InP/InGaAsP-InAIGaAs外延片研发和产业化”成为确定立项的项目之一。

在2020第22届中国国际光电博览会(CIOE)，光子集成芯片研发制造商浙江光特科技有限公司(简称光特科技)隆重展出了高集成的硅光子芯片及主要应用于数据中心、光纤通讯、无人驾驶及雷达探测等相关领域的传统产品InGaAs PhotoDiode Chip。

随着新基建5G和数据中心双轮驱动光通讯市场增长，连同激光雷达和光传感等领域将构造下一代的光电芯片应用市场。苏纳光电用务实的态度和长期的坚持，通过不断的技术创新和创造，推动国产硅透镜、硅光集成基板、InGaAs探测器等芯片的市场商用化，践行公司“光通信、光传感、中国芯”的愿景！

2019第21届中国国际光电博览会(CIOE)在深圳会展中心盛大举行，光子集成芯片研发制造商浙江光特科技有限公司(简称浙江光特)隆重展出InGaAs 200μm-300μm MPD系列、10G PIN、25G PIN、4x25G PIN以及2.5G APD和10G APD等高速探测器芯片，同时光特科技还展示了高集成的硅光子芯片晶圆。

AOI宣布开发用于高速光接收器200Gbps PIN光电二极管(PD)阵列芯片。新型4x50 Gbps InGaAs PAM4 PIN PD阵列基于AOI的4x25 Gbps PIN PD阵列技术，专为200G和400G数据中心收发器模块中使用的PAM4接收器而设计。