敏芯半导体推出10G全系列EML光芯片产品

  ICC讯 在 2017 年工信部发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022 年)》中，明确指出了光芯片和光模块的发展路线和规划，提出将全面提速 DFB\EML\VCSEL 等光芯片的国产化进程，具体要求 10G EML芯片的自供率在 2022 年提升至 80%。

  随着我国光通信网络建设的快速推进，敏芯半导体现已推出10G全系列EML芯片产品，包含10G 1577 EML/10G 1550 TDM EML/10G DWDM EML(C波段40波)，为国内外客户提供全系列EML产品与服务。目前该系列产品已取得客户认证并批量出货。

敏芯半导体 10G EML CHIP实物图

  我国通信网络整体架构主要包括无线接入网，有线接入网和传输网三大应用领域。敏芯半导体的EML光芯片产品在10G PON升级、长距传输及长距密波分复用领域为广大客户提供全系列解决方案。

  在传输网应用领域，一般为40km/80km长距离传输，对信号的质量有着很高的要求，普通DFB(直调激光器)光芯片产品由于存在啁啾等问题，无法保证长距离传输的信号质量，EML(电吸收调制激光器)是最佳解决方案。EML(电吸收调制激光器)的原理复杂、工艺技术难度大，目前此领域仍被国外芯片厂家垄断。

  传输网处于信息汇聚的干线位置，对光芯片的寿命及可靠性更高的要求。由于EML(电吸收调制激光器)相比普通DFB(直调激光器)是稳定发光光源+外调制的工作原理。此工作特点决定了EML比DML激光器在实际应用场景中有更好的健壮性，更加符合传输网对激光器高可靠性的要求。

  传输网应用场景中由于传输距离较长，导致光纤资源更加紧张，通过增加光纤进行数据扩容的难度及成本更大。业内广泛采用DWDM(密集波分复用)产品进行扩容。在不增加光纤的条件下，通过增加扩展接口来增加数据容量。

DWDM EML示意图

  EML芯片采用EAM与DFB集成的方式组成(如下图)。通过EA外调制的方法提升信号传输质量及产品可靠性，实现传输网应用领域光信号的长距离稳定传输。

  EML芯片集成方式

  敏芯半导体10G EML激光器系列采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺，具有低功耗、高带宽、高可靠性等特点。为便于追溯，芯片正表面提供十进制数字编码。

  10G 1550nm/DWDM EML

  10G 1550nm/DWDM EML激光器，通过客户端的眼图测试及传纤测试评估，可满足传输网40/80km传输要求。

  性能指标

  DWDM波长分布

  三温典型眼图

  10G 1577nm EML

  10G 1577nm EML激光器，应用于有线接入网10G PON OLT端。

性能指标

三温典型眼图

  作为光通信领域全系列光芯片供应商，敏芯半导体持续深耕于光通信领域。未来，敏芯半导体将一如既往地秉承“做好每一颗光芯片，让世界爱上中国芯”的使命，陆续推出性能更优，速率更高的光芯片产品，为客户提供更多更可靠的光芯片方案选择，让世界爱上中国芯。