FET-讯石光通讯咨询网

加入收藏设为首页联系我们广告服务关于本站

Nexperia与三菱电机合作开发SiC功率半导体 Nexperia宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/11/21/20231121004622803531.htm 2023/11/21
是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程，助力RFIC半导体设计加速发展新参考流程采用台积电 N4PRF 制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市场 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/10/11/20231011092655809631.htm 2023/10/11
工艺打通！九峰山实验室全面启动碳化硅（SiC）工艺技术服务 2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅(SiC)中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/08/10/20230810020002204578.htm 2023/8/10
爱立信和FET率先使用5G网络切片进行马拉松直播为了满足马拉松沿途转播比赛的需求，FET和爱立信合作，通过利用5G端到端网络切片，提供无缝的5G体验。爱立信的网络切片技术能够通过切片隔离流量，以满足广播公司在吞吐量、延迟和安全性方面的特定需求，使FET能够快速灵活地将带宽分配到活动地点。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/04/07/20230407015252083849.htm 2023/4/7
英飞凌杨大稳：功率半导体成就未来汽车低碳化与数字化完整的解决方案和丰富的封装选择是新能源供应链的重要价值，英飞凌为电力传动系统提供丰富和可扩展的产品组合，除了SiC、IGBT和Si MOSFET外，还包括传感器、微控制器、驱动芯片实现供电与通信。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/11/06/20221106053117730540.htm 2022/11/6
分析师：市场低估了美国CATV运营商 2022年迄今为止，美国的有线电视(CATV)股受到了打击。主要由于宽带用户增长放缓，以及人们担心来自光纤和固定无线接入(FWA)竞争的压力不断上升，可能引发价格战，导致每用户平均收入(ARPU)暴跌。但MoffettNathanson报告认为，市场对美国有线电视的增长前景反应过度。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/10/11/20221011020738922068.htm 2022/10/11
美国封杀“芯片之母”后南京EDA创新中心向科技部申报 8月15日，美国对设计GAAFET结构集成电路所必须的EDA软件禁令正式生效，所有美国EDA软件出口，都必须接受审查和批准。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/08/19/20220819011613136184.htm 2022/8/18
英特尔与联发科建立代工合作关系英特尔与联发科（MediaTek）于今天宣布建立战略合作伙伴关系，联发科将使用英特尔的制程技术为一系列智能边缘设备生产多种芯片。以经过生产验证的3D FinFET晶体管再到下一代技术突破的路线图为基础，英特尔代工服务提供了一个广泛的制造平台，其技术针对高性能、低功耗和始终在线功能进行了优化。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/07/26/20220726065553032114.htm 2022/7/26
台积电最新工艺路线图：2nm正式亮相在2022年技术研讨会上，台积电正式公布了其 N2(2 纳米级)制造技术，该技术计划于 2025 年某个时间投入生产，并将成为台积电第一个使用其基于纳米片的栅极全方位场效应的节点晶体管(GAAFET)。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/06/23/20220623025516219107.htm 2022/6/23
SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因 SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因，包括高压差分探头衰减倍数过大，高压差分探头测量线未双绞，无源探头未进行阻抗匹配，无源探头未使用最小环路测量，探头高频共模抑制比不够和测量点离器件引脚根部过远。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/05/25/20220525091319478814.htm 2022/5/25
远传电信加入爱立信Startup 5G计划爱立信表示，来自台湾的领先运营商远传电信(FET)已成为最新签署爱立信 Startup 5G 计划的公司，该计划旨在帮助通信服务提供商(CSP)抓住 5G 的消费者潜力。 FET 是东北亚地区首家加入该计划的 CSP，其他加入了运营商有 AT&T、Telstra 和 Rogers 等。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/03/21/20220321010514681094.htm 2022/3/21
当前第1页共4页共40条跳转页码: 首页上一页下一页末页

Nexperia与三菱电机合作开发SiC功率半导体

Nexperia宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/11/21/20231121004622803531.htm 2023/11/21

是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程，助力RFIC半导体设计加速发展

新参考流程采用台积电 N4PRF 制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市场

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/10/11/20231011092655809631.htm 2023/10/11

工艺打通！九峰山实验室全面启动碳化硅（SiC）工艺技术服务

2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅(SiC)中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/08/10/20230810020002204578.htm 2023/8/10

爱立信和FET率先使用5G网络切片进行马拉松直播

为了满足马拉松沿途转播比赛的需求，FET和爱立信合作，通过利用5G端到端网络切片，提供无缝的5G体验。爱立信的网络切片技术能够通过切片隔离流量，以满足广播公司在吞吐量、延迟和安全性方面的特定需求，使FET能够快速灵活地将带宽分配到活动地点。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/04/07/20230407015252083849.htm 2023/4/7

英飞凌杨大稳：功率半导体成就未来汽车低碳化与数字化

完整的解决方案和丰富的封装选择是新能源供应链的重要价值，英飞凌为电力传动系统提供丰富和可扩展的产品组合，除了SiC、IGBT和Si MOSFET外，还包括传感器、微控制器、驱动芯片实现供电与通信。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/11/06/20221106053117730540.htm 2022/11/6

分析师：市场低估了美国CATV运营商

2022年迄今为止，美国的有线电视(CATV)股受到了打击。主要由于宽带用户增长放缓，以及人们担心来自光纤和固定无线接入(FWA)竞争的压力不断上升，可能引发价格战，导致每用户平均收入(ARPU)暴跌。但MoffettNathanson报告认为，市场对美国有线电视的增长前景反应过度。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/10/11/20221011020738922068.htm 2022/10/11

美国封杀“芯片之母”后南京EDA创新中心向科技部申报

8月15日，美国对设计GAAFET结构集成电路所必须的EDA软件禁令正式生效，所有美国EDA软件出口，都必须接受审查和批准。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/08/19/20220819011613136184.htm 2022/8/18

英特尔与联发科建立代工合作关系

英特尔与联发科（MediaTek）于今天宣布建立战略合作伙伴关系，联发科将使用英特尔的制程技术为一系列智能边缘设备生产多种芯片。以经过生产验证的3D FinFET晶体管再到下一代技术突破的路线图为基础，英特尔代工服务提供了一个广泛的制造平台，其技术针对高性能、低功耗和始终在线功能进行了优化。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/07/26/20220726065553032114.htm 2022/7/26

台积电最新工艺路线图：2nm正式亮相

在2022年技术研讨会上，台积电正式公布了其 N2(2 纳米级)制造技术，该技术计划于 2025 年某个时间投入生产，并将成为台积电第一个使用其基于纳米片的栅极全方位场效应的节点晶体管(GAAFET)。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/06/23/20220623025516219107.htm 2022/6/23

SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因

SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因，包括高压差分探头衰减倍数过大，高压差分探头测量线未双绞，无源探头未进行阻抗匹配，无源探头未使用最小环路测量，探头高频共模抑制比不够和测量点离器件引脚根部过远。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/05/25/20220525091319478814.htm 2022/5/25

远传电信加入爱立信Startup 5G计划

爱立信表示，来自台湾的领先运营商远传电信(FET)已成为最新签署爱立信 Startup 5G 计划的公司，该计划旨在帮助通信服务提供商(CSP)抓住 5G 的消费者潜力。 FET 是东北亚地区首家加入该计划的 CSP，其他加入了运营商有 AT&T、Telstra 和 Rogers 等。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/03/21/20220321010514681094.htm 2022/3/21

当前第1页共4页共40条跳转页码: 首页上一页下一页末页