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元件长短料依然严重在半导体厂持续维持产能全开的状态下，与2021年相比，目前有部分芯片的供需已渐趋平衡，但许多通用元件如微控制器(MCU)、电源管理晶片(PMIC)与MOSFET仍旧处于供货不足状态。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/04/01/20220401092507092893.htm 2022/3/3
2025年量产：Intel 18A工艺找到三大客户去年3月份，Intel新上任的CEO基辛格宣布了IDM 2.0战略，其中就包括大手笔投资新的晶圆厂，并快速升级CPU工艺，分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工艺还是基于FinFET晶体管的，从Intel 4开始全面拥抱EUV光刻工艺。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/02/09/20220209015559759348.htm 2022/1/28
中芯国际：FinFET工艺已经达产，每月1.5万片中芯国际发布二季度财报，2021年第二季度的销售收入为13.4亿美元，同比增长43.2%。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/08/06/20210806071211944284.htm 2021/8/6
美国有线电视运营商将直面FTTH运营商竞争威胁 MoffettNathanson分析师预测，随着几家电信公司推进将现有DSL或VDSL网络升级到光纤，美国有线电视运营商将面临与光纤到户(FTTH)服务提供商的重叠竞争。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/06/04/20210604055322185590.htm 2021/6/4
台湾FET扩大与爱立信5G合作伙伴关系台湾通讯服务提供商Far EasTone Telecom(FET)选择爱立信作为其5G独立(SA)和非独立(NSA)双模5G核心和LTE语音(VoLTE)服务的供应商。该交易以爱立信与FET的现有5G合作伙伴关系为基础，其中包括2020年7月推出商用5G。爱立信将支持FET扩展其5G NSA功能以及在低，中，高频段上的SA演进。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/03/03/20210303011953188479.htm 2021/3/3
远传电信和爱立信专用网络助力联发科5G芯片组生产爱立信和远传电信(FET)为联发科技提供了使用FET商业3.5GHz和28GHz频谱的专用网络解决方案。联发科技的三个制造合作伙伴站点及其在新竹科学园区的总部园区都将受益。专用网络的低延迟，高性能和安全功能将使联发科能够加快其5G mmWave芯片组M80的批量生产。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/02/07/20210207022805723381.htm 2021/2/7
APT选择爱立信部署台湾首个5G多运营商核心网络爱立信已被亚太电信有限公司(APT)选中，以实现通信服务提供商网络的现代化和5G非独立(NSA)多运营商核心网络的支持。这包括与台湾3.5GHz频段的远传电信(FET)集成。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/01/18/20210118020149154833.htm 2021/1/18
台积电与三星3nm开发遇阻量产时间或将推迟据台媒报道，业内人士透露，目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/01/04/20210104055721749077.htm 2021/1/4
国内首家打通碳化硅全产业链，三安集成完成MOSFET量产平台打造三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/12/03/20201203062427569994.htm 2020/12/3
彭博：台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片据彭博报道，台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片，单月产能 5.5 万片起。据悉，台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管，而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同，三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/25/20201125011258428029.htm 2020/11/25
重磅！中芯国际工艺获重大进展！中国一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技，宣布公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过! http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/10/13/20201013031159903640.htm 2020/10/13
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元件长短料依然严重

在半导体厂持续维持产能全开的状态下，与2021年相比，目前有部分芯片的供需已渐趋平衡，但许多通用元件如微控制器(MCU)、电源管理晶片(PMIC)与MOSFET仍旧处于供货不足状态。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/04/01/20220401092507092893.htm 2022/3/3

2025年量产：Intel 18A工艺找到三大客户

去年3月份，Intel新上任的CEO基辛格宣布了IDM 2.0战略，其中就包括大手笔投资新的晶圆厂，并快速升级CPU工艺，分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工艺还是基于FinFET晶体管的，从Intel 4开始全面拥抱EUV光刻工艺。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2022/02/09/20220209015559759348.htm 2022/1/28

中芯国际：FinFET工艺已经达产，每月1.5万片

中芯国际发布二季度财报，2021年第二季度的销售收入为13.4亿美元，同比增长43.2%。

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美国有线电视运营商将直面FTTH运营商竞争威胁

MoffettNathanson分析师预测，随着几家电信公司推进将现有DSL或VDSL网络升级到光纤，美国有线电视运营商将面临与光纤到户(FTTH)服务提供商的重叠竞争。

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台湾FET扩大与爱立信5G合作伙伴关系

台湾通讯服务提供商Far EasTone Telecom(FET)选择爱立信作为其5G独立(SA)和非独立(NSA)双模5G核心和LTE语音(VoLTE)服务的供应商。该交易以爱立信与FET的现有5G合作伙伴关系为基础，其中包括2020年7月推出商用5G。爱立信将支持FET扩展其5G NSA功能以及在低，中，高频段上的SA演进。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/03/03/20210303011953188479.htm 2021/3/3

远传电信和爱立信专用网络助力联发科5G芯片组生产

爱立信和远传电信(FET)为联发科技提供了使用FET商业3.5GHz和28GHz频谱的专用网络解决方案。联发科技的三个制造合作伙伴站点及其在新竹科学园区的总部园区都将受益。专用网络的低延迟，高性能和安全功能将使联发科能够加快其5G mmWave芯片组M80的批量生产。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/02/07/20210207022805723381.htm 2021/2/7

APT选择爱立信部署台湾首个5G多运营商核心网络

爱立信已被亚太电信有限公司(APT)选中，以实现通信服务提供商网络的现代化和5G非独立(NSA)多运营商核心网络的支持。这包括与台湾3.5GHz频段的远传电信(FET)集成。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2021/01/18/20210118020149154833.htm 2021/1/18

台积电与三星3nm开发遇阻量产时间或将推迟

据台媒报道，业内人士透露，目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。

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国内首家打通碳化硅全产业链，三安集成完成MOSFET量产平台打造

三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

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彭博：台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片

据彭博报道，台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片，单月产能 5.5 万片起。据悉，台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管，而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同，三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。

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重磅！中芯国际工艺获重大进展！

中国一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技，宣布公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过!

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