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台积电与三星3nm开发遇阻 量产时间或将推迟

摘要:据台媒报道,业内人士透露,目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。

  ICC讯 据台媒报道,业内人士透露,目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。

  此前,按台积电公布的计划,3nm将于今年完成认证与试产,2022年投入大规模量产,甚至业界有传闻称苹果已率先包下台积电3nm初期产能,成为台积电3nm的第一批客户。

  此前业界预计台积电三星的3nm工艺都会在2022年实现量产,而台积电有望领先三星至少半年。

  此前台积电曾宣称,其3nm工艺会比目前最新的5nm工艺性能提升10%-15%,功耗将降低20%-25%。

  台积电2020年营收持续创新高,台积电董事长刘德音此前曾表示,为提前布局3nm,台积电已累计投资超过2万亿元新台币,目标是3nm量产时,12 英寸晶圆月产能超过60万片。而为了争夺市场,三星晶圆代工业务准备投入1160亿美元,以实现在3nm工艺上赶超台积电

  虽然三星台积电都在研发3nm工艺,但两者采用的技术并不相同,台积电采用了成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),而三星则采用了环绕栅极晶体管技术(GAA)。

内容来自:中关村在线
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2021/01/04/20210104055721749077.htm 转载请保留文章出处
关键字: 台积电 三星 芯片
文章标题:台积电与三星3nm开发遇阻 量产时间或将推迟
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