中国台湾《联合报》称：经多方评比后，台积电最终决定将最先进的 1nm 制程代工厂选址定在嘉义科学园区，总投资额超万亿新台币（当前约 2290 亿元人民币）。台积电表示，选择设厂地点有诸多考量因素，台积电以中国台湾地区作为主要基地，不排除任何可能性，也持续与管理局合作评估合适的半导体建厂用地。

台积电日前在2023年IEEE国际电子元件会议上，发布进军至1nm制程的产品规划蓝图。

日本高端芯片企业 Rapidus 于今年 2 月宣布将在北海道千岁市建造。

台积电未来的 1 纳米厂将落地竹科龙潭园区，龙科 3 期扩建计划的先导计划已于 11 月中旬上报，进度正常。

台积电 1 纳米新厂将落地桃园龙潭。

近日，据台中市长卢秀燕透露，台积电已正式提出中科扩建厂计划，「相关规划案正在处理中」。据了解，台积电已锁定中科园区旁台中高尔夫球场用地，设厂面积近100公顷，总投资金额达8,000亿至1兆元。

台积电现已确定将在中国台湾省的中科园区进行建厂，设厂面积近 100 公顷，总投资金额达 8000 亿至至 1 兆新台币(约 1840~2300 亿元人民币)。这也是台积电中科扩建厂计划首次对外界透露总投资金额。

长春光机所吴一辉研究团队致力于生物传感器研究领域近10年，目标是为了实现癌症标志物的超低浓度检测，以期待对癌症的早期筛查和预后监测提供技术支撑降低癌症的发病率及死亡率。针对微纳光纤耦合器的重复性差问题，提出结合熔融拉伸法和湿法腐蚀法的复合制备方法。在折射率为1.333的水和折射率为1.365的氯化钠液体介质中，通过该复合制备方法均可实现微纳光纤耦合器的色散转折点位置从1600nm至900nm的精确调控，精度优于1nm。并且通过制备色散转折点位置一致的光纤耦合器解决其重复性问题。

近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究超3奈米前瞻半导体技术取得突破，该项创新技术将有助实现未来1nm以下原子级电晶体的愿景，相关研究成果刊登于《Nature》国际顶尖学术期刊。

ASML已经完成了作为NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，但商业化计划在2022年左右。

作为仅有的几家可以实现硅光商业化的公司，Intel的100G CWDM4模块已经发货几百万只，取得了初步的成功。其200G、400G硅光模块也预计将在2020年下半年量产。?Intel的CWDM4模块采用1271，1291，1311，1331nm波长，最长传输距离可达10km，采用QSFP28封装，有0-70℃和15-55℃两种温度规格。