据外媒 Tom's Hardware 北京时间今天凌晨报道，英特尔公司 CEO 帕特 基辛格近日在麻省理工学院的演讲中表示，以现在的发展速度，晶体管数量接近每三年翻一番，实际上已经落后于摩尔定律的速度了。

在芯片受限于制程工艺、晶体管密度提高放缓的情况下，通过芯粒的设计将多个die封装在同一基板上成为了突破单芯片性能的一条重要路线。而这条路线的关键在于片上互连技术的发展，片上光互连技术也为未来的chiplet设计路线提供了更多的可能。

日本已经设立目标，计划在未来在本国量产2nm制程的芯片。据电子时报报道，日本不仅在努力提高单个芯片晶体管密度，还计划为2nm芯片使用异构技术，将多个芯片组合在一起。

英特尔表示，其芯片代工制造部门(IFS)与英国芯片设计公司 Arm 达成合作，以确保使用 Arm 技术的手机芯片和其他产品可以在英特尔的工厂生产。此次合作将首先关注移动 SoC 设计，但允许潜在的设计扩展到汽车、物联网 (IoT)、数据中心、航空航天和政府应用。设计下一代移动soc的Arm客户将受益于领先的英特尔18A工艺技术，该技术提供了新的突破性晶体管技术，以提高功率和性能，以及IFS强大的制造足迹，包括美国和欧盟的产能。

台积电目前仍在运行的有 13 个代工厂，其中 Fab 18 为苹果公司雕刻(carves)和蚀刻(etching)了 1 quintillion(十亿个十亿，10 的 18 次方)个晶体管。

2月10日，《科学》报道了一项极化激元领域的重要进展。经过十多年的不懈努力，国家纳米科学中心戴庆研究团队实现了极化激元的高效激发和长程传输。在此基础上，他们成功创制“光晶体管”，实现纳米尺度光正负折射调控，显著提升了纳米尺度光操控能力。

中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。

据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料，以制造越来越小的晶体管。

二氧化硅(SiO2)是一种奇特的材料，在半导体芯片的制程中，可以作为电介质材料隔离金属与金属或晶体管与晶体管，也可以作为阻挡材料保护特定区域不被掺杂和离子注入，某些场景下也可作为刻蚀阻挡层来提高刻蚀反应的选择性。

联讯仪器 S3022F 精密电源/测量单元是结构紧凑、经济高效的双通道台式电源/测量单元(SMU)，能够同时输出并测量电压和电流。这些功能使得 S3022F成为既需要高分辨率，又需要高精度的各种IV(电流与电压)测量任务的理想选择

英特尔与联发科（MediaTek）于今天宣布建立战略合作伙伴关系，联发科将使用英特尔的制程技术为一系列智能边缘设备生产多种芯片。以经过生产验证的3D FinFET晶体管再到下一代技术突破的路线图为基础，英特尔代工服务提供了一个广泛的制造平台，其技术针对高性能、低功耗和始终在线功能进行了优化。