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新加坡科技研究局微电子研究所(ASTAR IME)推出全球首个200mm碳化硅开放研发产线,采用"按需付费"模式降低创新门槛。该平台将助力电动汽车、可再生能源等领域的SiC技术开发,同时建立全球合作伙伴生态。
中国碳化硅功率器件领军企业基本半导体正式向港交所递交招股书。公司2024年收入达2.99亿元,碳化硅功率模块销量超6.1万件,累计出货量突破9万件,在新能源汽车领域占据重要市场份额。
美国碳化硅龙头企业Wolfspeed被曝或于数周内申请破产,引发行业震动。该公司虽在8英寸晶圆技术领先,却因债务压力、电动车需求放缓及中国厂商崛起陷入困境。分析师指出其材料优势壁垒被打破,战略转型受阻,未来可能面临分拆或合作重组。
印度功率半导体初创公司Indichip Semiconductors Ltd. 及其日本合资伙伴Yitoa Micro Technology (YMTL) 与印度安得拉邦政府签署了一项协议,将投资 1400 亿卢比(约合 16 亿美元)在当地建造一座面向功率半导体的碳化硅晶圆厂。
美国芯片制造商Onsemi(安森美)表示,将投资高达20亿美元,以将其在捷克共和国的半导体产量扩大一倍,即每天1000万片芯片。
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圆厂的第一阶段建设。
SiC市场在2023年强劲的市场和产能增长之后,2024年及之后的预期是什么?
3月20日~22日,2024上海慕尼黑光博会在上海新国际展览中心如期举办,矽安光电科技(南通)有限公司(以下简称:矽安光电)携新品45度微反射镜、大功率碳化硅热沉等产品参展,展位号:W2馆2778,欢迎业界朋友莅临展位观展交流。
1月10日,英飞凌(infineon)宣布已与碳化硅(SiC)供应商SK Siltron CSS正式达成协议。根据该协议,SK Siltron CSS将向英飞凌提供具有竞争力的高质量150毫米SiC晶圆,支持SiC半导体的生产。英飞凌相信,公司2025 财年的碳化硅收入将超过 10 亿欧元的目标将实现。而到2030年之前,该厂商希望占据全球30% 的SiC市场份额。
在功率和光子学应用强劲扩张的推动下,到2029年,全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿美元。随着MicroLED的发展,射频探索新的市场机会。
近期,河北中瓷电子科技股份有限公司举行的投资者关系活动记录,中瓷电子对公司资产整合后氮化镓通信基站射频芯片、碳化硅功率模块的情况及如何看待未来业务发展的趋势等问题进行了解答。
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