三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

在短距光互联场景中，是选择强度调制直接检测(IMDD)技术还是相干技术一直是讨论的热点。采用DMLs作为发射机的IMDD技术的功耗和成本很低。但随着高速光互连的到来，尤其是400GbE和800GbE场景下，DMLs的窄带宽限制了其在高速光互连的应用。本文中演示的DMLs为高速光互连下阴霾的IMDD技术带来了一丝丝的光明，获得的超100GHz带宽的DML，也许会给400GbE下的运营商一些新的选择。

总投资5亿元的泰科天润项目一期建设，目前正在进行设备安装。

日本NTT公司与东京工业技术大学合作开发出一种新型薄膜激光器，在高导热碳化硅(SiC)衬底上使用了磷化铟(InP)化合物半导体。该激光器是世界第一台具备3dB带宽超100 GHz的直接调制激光器，可在超2km距离上每秒传输256吉比特。当前，直接调制激光器广泛引用在数据中心，但其调制速率存在的瓶颈，对进一步提高传输容量而言是一个问题。新型激光器使我们能够以低成本、低功耗的解决方案来应对预期的流量增长，并有助于实现支持NTT IOWN倡导的高容量光传输基础设施概念。

第三代半导体垂直整合制造平台“三安集成”与新能源客车龙头企业“金龙新能源”在厦门签署战略合作框架协议，确定双方利用各自优势资源，共同推进碳化硅功率器件在新能源客车电机控制器、辅驱控制器的样机试制以及批量应用。

II-VI宣布收购碳化硅SiC外延晶片和电力电子器件领导者Ascatron AB，以及硅和化合物半导体器件应用离子注入技术的领导者INNOViON Corporation。

三安集成于2020年7月3日首次亮相主题为“融合创新 智引未来”的慕尼黑上海电子展，三安集成秉承“专注于化合物半导体技术创新”的理念，提供可持续能源高效电源转换、新能源汽车驱动与充电、数据中心与工业电源相关的碳化硅/氮化镓第三代功率半导体器件，以及自动驾驶雷达和面部3D感测所需的关键光技术芯片代工业务。

II-VI公司宣布获得史上最大金额的一笔协议，公司签署了一项价值超过1亿美元的多年协议，供应用于部署在5G无线基站中的氮化镓(GaN)RF功率放大器的碳化硅(SiC)衬底。

到了5G时代，第二代半导体材料砷化镓已经无法满足更高传输效率、更大输出功能、更强更稳定的散热、更少电阻、更小体积的需求，第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)的需求因应而生，很不幸的，第二代砷化镓芯片已经面临被取代被淘汰的命运。

II-VI日前宣布与SEDI进行战略合作，将SEDI业界领先的HEMT器件技术与公司的150mm制造平台相结合，打造一个垂直整合的150mm晶圆制造平台，来制造最先进的碳化硅衬底氮化镓HEMT器件，支持下一代无线网络需求。

11月20日，三菱电机在武汉市举行绿色创新技术展2013，展出三菱电机在功率半导体、碳化硅器件及其他在工业创新上的领先科技，吸引超过400名专业人士到场参观及交流。