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AOI推出PON 组件
11/3/2005，领先的模拟激光器，探测器制造商应用光电子AOI今天推出针对GPON和EPON应用的单纤双向和单纤三向光组件。AOI的这些产品支持不同的规格，包括FP和DFB激光器，GPON组件支持
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/11/07/20051107095831734375.htm 2005/11/7

一种新型的高电流低能耗FPDFB激光驱动器
美国Micrel公司最近推出一种新型的供FP/DFB激光器使用的2.7Gbps高电流、低能耗激光驱动器——SY88982，该器件在提供高电流时直流耦合应用所需要的最低激光电压(compliance v
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/05/31/20050531090056500000.htm 2005/5/31

光功率全球最高 三菱电机80km长距离传输激光器模块
据日经BP社的报道，三菱电机日前开发出了一种带EAM（电吸收调制器）的80km长距离传输DFB激光元件，光功率为全球最高水平，调制时平均为+4.8dBm。在日前召开的日本电子信息通信学会（
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/03/28/20050328085929156250.htm 2005/3/28

Phyworks推出集成驱动器限幅放大器 降低千兆以太网模块成本
Phyworks日前新推出的系列单芯片激光驱动器可替代现有SFF/SFP光模块中的两个器件。该系列激光驱动器可驱动VCSEL,FP和DFB激光器。其价格将比现有的两个独立器件的方案低近30％，从而使整
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/03/21/20050321090809531250.htm 2005/3/21

BTG为三菱电工发放激光技术专利许可
知识产权和技术专利公司BTG今天宣布与三菱电工签署一项专利许可协议，为后者发放电吸收（EAM）和分布反馈式（DFB）激光器专利技术许可证。这两种技术是产生1.0Gb/s或更高速率下高质量调制光信号的关
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/12/03/20041203091446812500.htm 2004/12/3

台湾鸿亚光电股份有限公司正式加入讯石会员
近日，台湾鸿亚光电股份有限公司正式加入讯石会员。鸿亚光电成立于2000年7月，主要产品包括： 1310nm/1550nm Fabry-Perot 及 DFB (Laser Diode)，检光器(Pho
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/07/28/20040728172115328125.htm 2004/7/28

台湾鸿亚光电股份有限公司正式加入讯石会员
近日，台湾鸿亚光电股份有限公司正式加入讯石会员。鸿亚光电成立于2000年7月，主要产品包括： 1310nm/1550nm Fabry-Perot 及 DFB (Laser Diode)，检光器(Pho
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/07/28/20040728171839921875.htm 2004/7/28

网络元素推出新Xenpak模块
高性能10G光器件供应商网络元素公司Nework Elements 今天推出针对10G以太网市场和光纤通道应用的10G Xenpak模块。该模块采用无制冷DFB激
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/04/05/20040405090409171875.htm 2004/4/5

住友X2 XFP 10G模块即将批量发货
住友电工本月宣布他们的XFP和X2 10G 模块将从2004年春季开始批量发货。该模块采用住友高性能无制冷TO封装1310nm DFB激光器，具有高性能，低成本，
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2003/12/03/20031203092021125000.htm 2003/12/3

Northlight 推出10G TOSA
瑞典 NorthLight 光子公司今天发布新闻稿推荐自己的PGT20412 10G带尾纤TOSA器件。该产品采用制冷DFB激光器，集成电吸收调制器，波长符合ITU-T规定，适合于小型化3
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2003/09/27/20030927093113640625.htm 2003/9/27

正源公司核心设备MOCVD投入使用，DFB激光器研发成功
金属有机化学气相沉积（MOCVD）是半导体材料外延生长的重要技术，是目前广泛采用的化合物半导体薄层单晶的先进方法，特别在生长量子阱和超晶格方面有较大优势，更因为这种生长方法可以控制到纳米量
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2003/09/27/20030927093056312500.htm 2003/9/27
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