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金属有机化学气相沉积(MOCVD)是半导体材料外延生长的重要技术,是目前广泛采用的化合物半导体薄层单晶的先进方法,特别在生长量子阱和超晶格方面有较大优势,更因为这种生长方法可以控制到纳米量
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