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iFOC 2023,铌奥光电董事长蔡鑫伦将发表报告《铌酸锂薄膜光电子集成技术与芯片》,薄膜铌酸锂可以实现超高电光带宽、超低的驱动电压以及超低光学损耗,有望在电光调制器领域掀起一场革命。本报告介绍铌奥光电近年来在铌酸锂薄膜光电子器件的若干进展。
济南晶正电子科技有限公司携光电晶体薄膜材料亮相慕尼黑上海光博会6.1H B135展台,期待客户莅临展位交流指导。本次展会,济南晶正推出了8寸光学级铌酸锂薄膜,也是业内首家将8英寸X轴铌酸锂晶体制成铌酸锂薄膜的企业。
铌酸锂材料作为“光子革命”的中流砥柱,可用于实现制备集成激光器、放大器、变频器、电光调制器、光电探测器等关键光子器件,因此有利于促进光通信、激光雷达、粒子传感、信息处理等领域的飞速发展。
来自EPFL和IBM的研究人员,在铌酸锂-氮化硅异质集成光学平台上实现了低损耗、窄线宽、高调制速率、稳定的激光输出。新型激光器可能会对激光雷达和光学测距产生重大影响。该成果在以“Ultrafast tunable lasers using lithium niobate integrated photonics”为题在Nature上发表。
4月20日上午,2023中国光学十大进展高峰论坛在浙江省杭州市富阳区开幕。其中,中山大学电子与信息工程学院(微电子学院)蔡鑫伦教授课题组实现了世界首例铌酸锂薄膜偏振复用相干光调制器入选“应用研究类(10项)”。
铌奥光电、中山大学与贝尔实验室(法国)、III-V实验室(法国)、是德科技(德国)合作,基于铌奥光电研制的铌酸锂薄膜相干调制器芯片,首次实现了波特率高达260G波特的DP-QPSK信号100公里传输距离。这一超高速率光纤通信实验结果以PDP论文(post-deadline paper,截稿日期之后被接收的最新进展论文)的形式在2022年度欧洲光通信大会(ECOC 2022)发布。
9月5-6日,第21届讯石研讨会将在深圳机场凯悦酒店隆重举行。届时,中山大学教授、博师生导师蔡鑫伦将在会上发表主题为《铌酸锂薄膜光电子集成芯片与器件》的演讲,报告围绕铌酸锂薄膜光电子技术的基础知识和最新进展,并讨论铌酸锂薄膜与硅光技术融合的前景。
北京大学团队研究了一种通过晶圆级紫外光刻和湿法蚀刻制造的具有110 GHz以上带宽的铌酸锂薄膜电光调制器。
中山大学实现世界首例铌酸锂薄膜偏振复用相干光调制器,该器件半波电压低至1 V,而调制带宽超过了110GHz,是目前世界上最高性能的超低电压和超大带宽的电光调制器芯片。
兰州大学团队在在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜,通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导,解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题,并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。
国内首家光量子计算公司「图灵量子」宣布完成数亿元Pre-A轮融资,由君联资本领投,中芯聚源、琥珀资本、交大菡源基金等资方跟投,本轮融资将主要用于可编程光量子芯片的研发和流片,以及量子算法的商业化落地。「图灵量子」主要基于铌酸锂薄膜(LNOI)光子芯片和飞秒激光直写技术,研发可集成大规模光子线路的光量子芯片
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