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9月26日,华工科技产业股份有限公司发布投资者关系活动记录表,提到公司800G系列产品在顶级互联网厂商送样,并积极推进硅光技术应用,公司围绕当前 InP、GaAs 化合物材料,布局硅基光电子、铌酸锂、量子点激光器等新型材料方向,自主研发并行光技术,积极推动新技术、新材料在下一代 1.6T、3.2T 等更高速产品应用。
中山大学科研团队成功制作出具有超小尺寸和超低阈值的室温连续光泵浦的微纳激光器,为研制新一代光子集成芯片的高密度集成光源提供了新方案。
近期,中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队,在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术,在缓冲层总厚度2700nm条件下,将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区,并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区,研制出可高温工作的低功耗片上光源。
硅光收发器PIC供应商AIO Core宣布推出业界首款兼容PCIe Gen 5的32Gbps收发器芯片。
欧盟资助MOICANA项目,聚焦研究氮化硅(SiN)硅光子学平台上的磷化铟(InP)量子点激光器的异构集成。MOICANA是由欧盟(EU)在其“地平线2020”(Horizon 2020)框架计划下资助的一项研究和创新行动(RIA)项目,主题为ICT-30-2017-光电子关键使能技术(KET)(项目编号780537),并倡议光子公私合作模式。项目周期将持续3年,从2018年1月1日至2020年12月31日。
Ranovus表示基于多波长量子点激光器(Quantum Dot Laser,QDL)和硅光子谐振环调制器技术的光引擎和PAM4 200G CFP2光收发器已经出样。
渥太华Startup公司RANOVUS计划利用“量子点多波长激光技术”来打造数据中心应用的低成本光收发器,公司近期获得1100万美元融资。
日本富士通公司及东京大学的研究人员宣称,已经发展出第一台每秒一百亿位(10 Gbps)的量子点(quantum dot)激光器。研究人员表示,该量子点激光器在摄氏20到70度之间,不需一直
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