美国研究团队开创三五族化合物半导体与铌酸锂两种材料体系的新融合技术，把薄膜铌酸锂外腔引进到片上激光器，制备出调频速度达1018Hz/s量级的窄线宽激光器，以及首个通信与可见光同时激射的集成激光器。

2022年9月7日至8日，欧洲光电产业协会(EPIC)在比利时微电子研究中心(IMEC)举办 “CMOS兼容光子集成电路会议”。会议汇集了COMS、硅基、MEMS等代工厂以及具有光子功能的新材料(石墨烯、三五族材料等)的制造商和供应商，旨在促成行业内的新合作。

9月14日，凌云光技术股份有限公司解决方案总监张华博士将在IFOC 2021上发表主题为《创新工艺硅基异质集成技术助力数据中心高速互联》的演讲，介绍目前硅基异质集成技术进展，重点介绍在1.5微米厚硅平台上，采用晶圆级封装工艺，实现三五族激光器和调制器与硅基的异质集成方案，以及在数据中心光模块中产品开发和应用情况。

台湾三五化合物半导体族群，除发展砷化镓 (GaAs) 外，近期也积极布局氮化镓 (GaN) 市场。宏捷科透过私募引入中美晶集团入股；稳懋十年前就开始布局氮化镓，近年已有成果、小量生产；环宇透过转投资晶成半导体合作 6 吋晶圆厂，发展氮化镓 RF 射频晶圆等。

香港中文大学（深圳）理工学院张昭宇教授课题组在硅基光芯片领域取得重要研究进展，首次实现了可与微电子单片集成的硅基三五族微纳光子晶体激光器。相关成果发表在《Nature Communications》上。

历经五十多年发展，III-V族材料以其成熟优秀的发光效应帮助光电子器件在光纤通信、光显示、激光以及微波射频等领域的大规模部署起到了关键作用，III-V族材料经过外延生长和后道工序制作成芯片，其性能和稳定性会直接影响光器件的使用寿命。因此，芯片测试成为一道关键工序，针对III-V族器件芯片的测试也发展出了相对应的半导体设备。作为一家专注于传统半导体以及三五族器件领域的顶尖测试设备代理供应商，苏州中澜凌电子科技有限公司对III-V族器件测试有着深厚的工艺经验。