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6月11日,高端半导体激光器芯片提供商纵慧芯光半导体科技有限公司(简称纵慧芯光)宣布,其砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)化合物半导体工厂FabX完成通线,标志着纵慧芯光在高端光电子芯片领域的又一重大突破,助力中国在高速光通信、激光雷达等核心芯片的自主化发展。
台湾光通讯和砷化镓企业3月营收表现突出,虽然美国关税政策导致股价波动,但随着市场消化利空和台积电技术论坛临近,相关股票出现强势反弹。
芯辰半导体外延设备已于近日投产,覆盖砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)光芯片四元化合物全材料体系。芯辰半导体光芯片外延片投产
9月11日,为期3天的第25届中国国际光电博览会(简称:CIOE中国光博会)在深圳国际会展中心开幕。陕西光电子先导院科技有限公司连续八年参展。本届中国光博会中,光电子先导院携砷化镓基VCSEL单孔晶圆、砷化镓基VCSEL阵列晶圆、砷化镓IPD(集成无源器件)晶圆、砷化镓基VCSEL快测晶圆4项最新成果亮相,受到参展方和社会各界的广泛关注。
华芯半导体关联公司珠海华芯微电子举行园区落成暨设备进机仪式,该项目建设首条6寸砷化镓晶圆生产线,主要生产化合物半导体微波集成电路及VCSEL芯片,预计2025年上半年大规模量产。
2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行,陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相,展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。
华兴激光隆重展出了一系列磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)化合物半导体外延片产品,伴随着光通信、光电子器件应用朝高速率、高性能方向持续演进,公司在高速率、高端光电应用方面的光电子外延片产品上紧随市场需求,并实现了诸多技术创新突破。
商务部海关总署决定对镓、锗相关物项实施出口管制,涵盖砷化镓、氮化镓、金属锗、锗外延生长衬底等半导体材料
全新的迭代学习控制算法将功率放大器的数字预失真测试时间从几小时缩短到几分钟 测试方法助力功率放大器制造商缩短研发周期并加快上市时间,汉威光电(Hexawave) 是 富采控股(Ennostar Group )的子公司,率先采用全新的测试方法来表征高效宽带砷化镓功率放大器。
高功率半导体激光器领域的领导者Coherent高意推出新一代泵浦激光器二极管,以单芯片实现50 W的高输出功率
长光华芯投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台,形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力,具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力,具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括6-8寸器件封测生产线建设)。
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