6 月 10 日消息，据国外媒体报道，台积电将于 2022 年末开始使用 3 纳米芯片制造工艺技术生产芯片，并在改进目前的 5 纳米芯片制造工艺技术。

据台湾媒体报道，受美国禁令影响，台积电5nm扩建延至2021年第一季度。

花旗环球证券分析师称，3nm量产推迟，台积电可能将会把2020年资本支出削减20亿美元。

台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币，约合500亿美元，光是建厂就至少200亿美元了，原本计划6月份试产，现在要延期到10月份了。

台积电发布2019年第四季度财报。根据财报数据显示，2018年率先量产的7nm工艺，已为台积电带来了93亿美元的营收。目前台积电正在积极量产5nm芯片，预计5nm芯片将在2020年上半年实现大规模量产。

ISO 和TIA标准化组织于2017年分别发布了最新的布线标准ISO 11801 3rd 和TIA-568.0-D，新的标准移除了传统的OM1, OM2 多模光缆，增加了OM5 宽带多模光缆。ISO 将OM5 光缆的衰减从以前OM3, OM4 光缆的3.5 dB/km 降低到3.0 dB/km，另外增加了953nm 波长上的带宽要求。ISO/IEC JTC1SC25 WG3 的新项目ISO/IEC TR 11801-9908 已经发布了WD 的首稿，旨在研究多模光纤上传输高速网络应用的布线指导规范，该规范对10/40/100/200/400G双工和并行网络应用下OM3,OM4,OM5 多模光纤的传输距离进行了研究。

光迅科技(股票号：002281)近日向客户发售了其最新的高功率L-plus ASE光源产品。该光源输出波长范围覆盖1563nm~1621nm，最高输出功率26dBm，输出谱平坦度小于2dB。高功率L-Plus ASE光源的发布解决了业内长期以来缺乏高功率密度宽光谱覆盖ASE光源的难题。

7月3日，富泰科技(香港)有限公司携手全球领先的高功率半导体激光管生产厂商Eagleyard Photonics在成功推出633nm DBR 蝶形窗口封装半导体激光管后，在中国市场正式发布780nm和850nm DFB 蝶形窗口激光管，丰富了这种封装的产品组合。

求购 793nm的激光二极管

来自美国新泽西的Intense公司，一家单片激光器阵列产品、高功率单发射激光二极管和光电子系统生产商及供应商，在会上展示其下一代原型版本8000 793nm高功率泵激光二极管模块系列。

德国DILAS半导体激光公司推出了最新的高亮度130W@200μm半导体激光光纤耦合模块。模块最大输出功率达到130W，光纤芯径为200um，数值孔0.22。该模块有793nm，808nm，915nm，940nm和980nm多种波长可选择。