中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队/龚谦团队与浙江大学副教授金毅课题组合作，在硅基衬底上研制出超小尺寸的包含InAs量子点的纳米共振结构，基于准BIC原理实现了O波段的片上发光。

上海微系统所实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片

中国科学技术大学郭光灿院士团队郭国平教授、李海欧教授等人与合作者携手，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，这对该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质具有重要的指导意义。研究成果日前在线发表在国际应用物理知名期刊《应用物理评论》上。

中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研人员合作，在量子点合成过程中引入晶格应力，调控量子点的能级结构，获得了具有强发光方向性的量子点材料，此材料应用在量子点发光二极管（QLED）中有望大幅提升器件的发光效率。这一研究成果日前发表在《科学进展》杂志上。

在成熟的纳米科学基础上，大阪大学的一支研究团队，刚刚在《应用物理快报》上介绍了其新开发的用于远距离、超安全量子通信的纳米芯片。 如图所示，通过利用表面等离子天线和量子点中的电子激发，这套方案能够将光子有效照射到半导体上。更棒的是，它还与即将到来的先进技术兼容，有助于提升量子信息载体之间的传输效率。

据中国科学技术大学处获悉，该校郭光灿院士团队郭国平、曹刚等人与本源量子计算有限公司合作，利用微波超导谐振腔实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果日前发表在国际应用物理知名期刊《应用物理评论》上。

量子点光纤放大器为解决全波带、低噪声光纤通信的重大需求提供了一种全新的途径和实现方案。目前，量子点光纤放大器在实验室已经实现，国内外还没有相应的产品出现，尚未进入工业化生产。

近日，美国工程院院士、加州大学圣芭芭拉分校John Bowers教授带领的光电研究团队研发出可直接调制的硅上量子点微型激光器。该激光器通过外延生长，集成在与CMOS工艺兼容的硅晶圆上。利用量子点特有的衬底缺陷影响、侧壁非辐射复合影响被减小的优异性能，并通过缓冲层的优化以减少III-V族材料与硅晶圆界面的位错密度，该课题组在存在着反向畴、晶格失配和热膨胀系数不同等巨大差异的异质生长材料体系上实现了优异的激光器性能：1.3 μm通讯波段的单模激射、同时兼具103 K特征温度的高温工作环境稳定性及3 mA的低阈值电流、6.5 GHz的3 dB带宽。

欧盟资助MOICANA项目，聚焦研究氮化硅(SiN)硅光子学平台上的磷化铟(InP)量子点激光器的异构集成。MOICANA是由欧盟(EU)在其“地平线2020”(Horizon 2020)框架计划下资助的一项研究和创新行动(RIA)项目，主题为ICT-30-2017-光电子关键使能技术(KET)(项目编号780537)，并倡议光子公私合作模式。项目周期将持续3年，从2018年1月1日至2020年12月31日。

这是光子枪的一个示意图。量子点（黄色符号）每次发射一个光子（红色波包）。该量子点嵌入在一个光子晶体结构中，该光子晶体结构通过在半导体材料中蚀刻孔洞（图中黑色圆形符号）而获得。由于这些孔洞，光子不能在所有方向上发射，而是只能沿着通过省略一些孔洞来形成的波导发射。

Ranovus表示基于多波长量子点激光器（Quantum Dot Laser，QDL）和硅光子谐振环调制器技术的光引擎和PAM4 200G CFP2光收发器已经出样。