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MACOM为5G和DC推出25G APD和25G FP激光器 MACOM针对5G无线和数据中心应用，推出其25G雪崩光电二极管(APD)--APD28A，和25G Fabry-Perot(FP)激光器--MAOD-131F25。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/03/12/20200312014921074415.htm 2020/3/12
HiLight Semiconductor宣布推出PIN和APD应用的25Gbps CMOS跨阻放大器(TIAs) HiLight宣布推出用于25Gbps和100Gbps光接收器的两新款25Gbps CMOS跨阻放大器(TIAs)，其中HLR25G0适于PIN光电二极管应用，而HLR25G1则适于APD雪崩光电二极管应用。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/07/16/20190716085939708043.htm 2019/7/16
HiLight Semiconductor出样25 Gbps CMOS跨阻放大器 HiLight Semiconductor表示，它为25 Gbps和100 Gbps光接收器出样两个25 Gbps CMOS跨阻放大器(TIA)。据该公司称，HLR25G0针对PIN光电二极管应用，HLR25G1“最适合”基于雪崩光电二极管(APD)的设计。这两款TIA尺寸均为0.7x1.05 mm，并且经过优化，可以在TO-can组件和板上芯片(COB)应用中使用。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/07/12/20190712015336111603.htm 2019/7/12
AOI为高速光收发器提供单波长100G PIN光电二极管 AOI是互联网数据中心，有线宽带，电信和光纤到户(FTTH)市场的光纤接入网络产品的领先供应商。其宣布为高速光收发器提供单波长100G PIN光电二极管(PD)。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/03/04/20190304012244712259.htm 2019/3/4
AOI宣布推出200 Gbps PAM4 PIN光电二极管阵列 AOI宣布开发用于高速光接收器200Gbps PIN光电二极管(PD)阵列芯片。新型4x50 Gbps InGaAs PAM4 PIN PD阵列基于AOI的4x25 Gbps PIN PD阵列技术，专为200G和400G数据中心收发器模块中使用的PAM4接收器而设计。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/03/09/20180309021704512400.htm 2018/3/9
HiLight Semiconductor发布11.3-Gbps CMOS TIA HiLight Semiconductor宣布了HLR10G1的已经可以批量生产，一种是11.3-Gbps CMOS放大器(TIA)，可用于10-Gbps雪崩光电二极管(APDs),以提供先进的灵敏度性能。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2017/09/28/20170928014705527216.htm 2017/9/28
AOI 推出100G PIN光电二极管阵列 Applied Optoelectronics公司8月3日宣布，为高速光接收机成功研发出每秒100G PIN 光电二极管(PD)阵列。高性能InGaAs PIN PD 是一款具有大调制宽带，高响应度和低暗电流的前照明光电二极管。该产品是一个4x25 G PD 阵列，专门设计用于数据中心100G收发器模块和FTTH应用的100G EPON收发器模块。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2017/08/04/20170804023536984400.htm 2017/8/4
Enablence公布出售瑞士子公司进展 Enablence瑞士光电二极管业务找到买家---Albiva，交易价为200万美元。该交易预计将在2012年11月23日结束。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2012/11/20/20121120010835645378.htm 2012/11/20
三菱电机将推出基于10G-EPON ONU的二极管本月30日，三菱电机将推出ML7xx42分布反馈式激光二极管（DFB-LD）和PD8xx24雪崩式光电二极管（APD）。这两款新品适用于对称式10G-EPON的光网络单元（ONU）。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2011/11/18/20111118003935246875.htm 2011/11/18
日本岛津制作所开发出新款低噪声分光传感器日本岛津制作所开发出了配备自产环形衍射光栅以及新开发的多层膜滤波器的低噪声分光传感器“OSS-0081”。测量的波长范围为340nm～800nm。波长输出为1024个通道。设想嵌入LED光源光谱评测装置及生命科学仪器的测量部位等使用。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2011/11/14/20111114235530715625.htm 2011/11/15
罗姆开发出4Gbit秒的高速光无线接口技术罗姆开发出数据传输速度最高达到4Gbit/秒的光无线接口技术，原理是利用振荡波长为850nm的面发光型半导体激光器(VCSEL)发送数据，利用GaAs材料的光电二极管接收数据。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2011/10/14/20111014010316234000.htm 2011/10/14
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HiLight宣布推出用于25Gbps和100Gbps光接收器的两新款25Gbps CMOS跨阻放大器(TIAs)，其中HLR25G0适于PIN光电二极管应用，而HLR25G1则适于APD雪崩光电二极管应用。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/07/16/20190716085939708043.htm 2019/7/16

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HiLight Semiconductor发布11.3-Gbps CMOS TIA

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AOI 推出100G PIN光电二极管阵列

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三菱电机将推出基于10G-EPON ONU的二极管

本月30日，三菱电机将推出ML7xx42分布反馈式激光二极管（DFB-LD）和PD8xx24雪崩式光电二极管（APD）。这两款新品适用于对称式10G-EPON的光网络单元（ONU）。

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日本岛津制作所开发出新款低噪声分光传感器

日本岛津制作所开发出了配备自产环形衍射光栅以及新开发的多层膜滤波器的低噪声分光传感器“OSS-0081”。测量的波长范围为340nm～800nm。波长输出为1024个通道。设想嵌入LED光源光谱评测装置及生命科学仪器的测量部位等使用。

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罗姆开发出4Gbit秒的高速光无线接口技术

罗姆开发出数据传输速度最高达到4Gbit/秒的光无线接口技术，原理是利用振荡波长为850nm的面发光型半导体激光器(VCSEL)发送数据，利用GaAs材料的光电二极管接收数据。

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