光通信节点间的距离越来越短，所需求的光器件数量也越来越多，应用场景越来越广泛，市场规模有望越来越大。

据悉，中国电子科技集团公司第38研究所与中科院微电子所、半导体所、武汉邮电科学院合力在硅光芯片制造平台上有了重大进展，这意味着，国产硅光芯片将不需要借助国外平台流片，并有望协助集成电路产业实现“弯道超越”。接下来，该平台的“升级版本”将落户合肥综合性国家科学中心的联合微电子中心。

光模块厂商新易盛昨日晚间发布2016年业绩快报。快报显示，公司2016年实现营收7.14亿元，同比增长16.06%；净利润1.05亿元，同比增长11.47%。

武汉光电国家实验室(筹)光电子器件与集成功能实验室提出并实验验证了一种新型的大范围可调谐激光器—多通道干涉激光器。新型可调谐激光器和现有的商用可调谐激光器相比，具有成本低、制作容差大以及性能好的优点，并且该器件是完全在华中科技大学的校内工艺平台制作出来的，这标志着华科从此具有独立研制高端III-V族半导体光芯片的能力。

德克萨斯州立大学奥斯丁分校的一位教授和他的研究团队共同研发出了新型纳米材料，该纳米材料可对光芯片进行删除、重写等操作。

新易盛作为4G通信的热点股，在今年三季报中有着不俗的成绩。其光芯片产量大幅度提升，加上产品本身的成本控制使得毛利率得到较高的改善。

为了平衡产业发展，政府进一步加大政策配套和扶持力度，由国家九部委和湖北省政府联合主办的武汉光博会，创办至今已成功举办十二届，累计全球30多个国家和地区的4500余家知名企业参展，35万多专业观众参观，举办120多场论坛，为光通信行业产业链架起合作交流的桥梁，同时为我国光芯片、核心器件的战略地位提升助力，未来产业升级和进口替代将为上游产业带来数倍增长空间。

月27日招商证券发布了对光通信行业的深度报告，该报告是业内首篇对光通信上游光芯片、器件、模组进行系统性研究的报告。行业景气受益光纤到户、数据中心、5G 等诸方需求驱动，我国光通信产业虽整体实力领先，但发展极不均衡，上游核心器件、高端芯片缺失，成为“阿喀琉斯之踵”。

目前，我国光器件及芯片企业整体实力偏弱，产品结构有待优化，大部分产品处于中低端领域，同质化严重，与发达国家相比仍存在较大差距。主要原因是高端光器件和光芯片研发费用高，以及光芯片整体市场规模较小。

市场看到接入网光模块竞争趋于激烈。但是行业判断,光迅高端光芯片(10G DFB 激光器和10G APD 探测器)渐进商用,有望在2016 年四季度通过核心客户认证, 2017 年有望放量,将带动公司整体毛利率提升。自主高端光芯片的放量,将带动公司2017 年业绩大爆发。

从2007年开始，随着XPON技术的走向成熟，中国开始了光纤最后一公里的建设之路，历经FTTC/FTTB的技术过渡，2012年，中国发布了《GB 50846-2012 住宅区和住宅建筑内光纤到户通信设施工程设计规范》的新的国家标准，光纤到户（FTTH）已经成为建筑楼宇必配的通信基础设施，以PLC光分路器为主要应用的FTTH模式迎来了大规模的建设高潮，而PLC光芯片作为光分路器的核心功能器件，是影响光分路器技术指标和成本的重要因素，突破PLC光芯片的制造工艺难关，不仅对我国的FTTH进程有着重要影响，而且对提升中国的产业技术水平，进而成为全球光分路器的研发及产业制造基地，都具有重要的现实意义。