美光2000亿美元芯片回流计划面临多重挑战

  ICC讯  全球第三大存储芯片制造商美光科技上周宣布，将在爱达荷州新建第二座存储芯片工厂、扩建弗吉尼亚州设施，并将AI关键的高带宽内存(HBM)先进封装技术转移至美国，追加投资300亿美元至此前计划。加上500亿美元的国内研发投入，以及纽约州"超级工厂"计划，美光总投资额达2000亿美元。

  目前美光几乎所有DRAM产品均在海外生产，公司表示目标是将40%的DRAM产能转移至美国，但未给出具体时间表。这是继台积电和格芯之后，又一家响应特朗普政府号召加大在美投资的半导体企业。

  国际商业战略公司CEO Handel Jones指出，美光在纽约州克莱镇的工厂将面临成本竞争力问题："该地区缺乏DRAM制造的专业人才，美光未来需要在美国其他地区或海外另寻生产基地。"在HBM领域，美光还需追赶SK海力士，同时应对三星在得州泰勒市新建晶圆厂的竞争。

  TechInsights副主席Dan Hutcheson认为，这些投资部分源于《芯片法案》补贴和政府压力，但企业仍需考虑投资回报。"当前投资模式受地缘政治因素影响，如关税和'一个中国'政策的不确定性。"美光约60%的DRAM产自台海地区。

  美光CEO Sanjay Mehrotra表示，投资将巩固美国技术领导地位，创造数万个就业岗位，确保半导体供应链安全。公司预计有资格获得旨在提振本土芯片业的"先进制造投资税收抵免"，并已获得联邦、州和地方各级资金支持，包括64亿美元的《芯片法案》拨款。

  Jones指出，特朗普政府可能重新分配拜登政府末期承诺的芯片补贴："现任政府认为关税足以保护半导体业，新增资金审批还受万亿级财政赤字制约。"新关税政策或对进口DRAM征收25%以上关税，这也成为美光回流的潜在动因。

  英伟达CEO黄仁勋表态支持该计划，称美光的HBM技术对AI生态至关重要。美国商务部表示将简化审批流程，加速投资落地。特朗普政府已放宽拜登时期对爱达荷、纽约和弗吉尼亚项目的政策限制。

  （本文作者Alan Patterson为资深电子产业记者，常驻亚洲逾30年，曾任职彭博社和道琼斯通讯社）