OFC 2025 | SiFotonics 推出高响应背照式200Gbps/lane Ge/Si PD

  ICC讯 2025年4月1日，SiFotonics在OFC2025推出高响应(0.75A/W)、背照式Ge/Si 200Gbps/lane PD芯片(包括单通道及四通道阵列)，面向1.6T DR8和2xFR4高速光模块设计。

  该产品基于SiFotonics “IDM-Lite”专属硅光产线开发生产，采用背照式、Flip Chip设计，首次在硅衬底背面集成了微透镜，等效光敏面达到34um，具有高于52GHz的带宽和0.75A/W的O波段响应度，适配业内主流TIA，并针对Flip Chip到TIA和Flip Chip到基板的需求分别提供带solder和solder bump版本的芯片。

关于SiFotonics

  SiFotonics Technologies(希烽光电)成立于2007年，是世界上最早的硅光技术原创及产品化公司之一，目前已是全球硅光器件及集成芯片解决方案领军企业。SiFotonics拥有独特“IDM-Lite”硅光工艺线，先进锗硅外延生长技术，积累了超过17年的硅光器件和芯片设计、量产经验，拥有100+全球专利授权，已实现了硅光芯片技术平台、出货量、市场份额的行业领先。SiFotonics 继续致力于为人工智能集群、数据中心、相干通讯、5G/6G无线网络、新一代PON、激光雷达与光传感等市场提供极具竞争力的硅光器件、集成芯片与解决方案，利用颠覆性硅光技术助力和使能全球AI智能化、数字化加速发展。

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