HiLight Semiconductor推出应用于10Gbps长距离传输和下一代10G-PON高灵敏度CMOS TIA

  ICC讯 全球领先的光通信CMOS集成电路芯片制造商HiLight Semiconductor宣布推出应用于10Gbps长距离传输和下一代10G-PON的高灵敏度跨阻放大器（TIA）HLR11G1。

  HLR11G1专为雪崩光电二极管（APD）应用而设计。该款TIA可广泛用于各种需要超高灵敏度的10Gbps应用，例如长距离传输10Gbps“ZR”收发器、可调DWDM光器件和10G-PON接收器。该TIA的关键参数具有内部数字温度补偿功能，可在整个工温范围内保持出色的灵敏度和过载性能。HLR11G1采用先进的CMOS工艺设计，配用合适的APD可以提供很低抖动性能和非常低的系统级色散代价。

  HLR11G1与高增益APD配合，灵敏度典型值为-29dBm（BER=1E-12）和-35dBm（BER=1E-3）；与主流的国产10G APD配合，灵敏度可测到-28 dBm（BER=1E-12）和-33dBm（BER=1E-3），比前一代TIA提高了至少1dB。HLR11G1卓越的性能为长距离传输、DWDM和NG-PON2等应用提供了更多性能余量。

  HLR11G1的其他特性和性能优势包括：4.2kohm跨阻增益、仅21mA的供电电流（低功耗）以及配合APD应用时优于-4dBm的过载性能。

  TIA尺寸仅为0.7 mm x 1.05mm，可轻松装配在标准TO-can光学组件中。

  HLR11G1录属于HiLight高端CMOS PMD系列产品，该系列产品可用于市场需求量大的10Gbps至25Gbps应用如数据通信、无线和FTTx PON。

  HiLight营销副总Christian Rookes评论道:“ HLR11G1为10G长距离应用和下一代PON提供世界一流的灵敏度，该TIA与HiLight现有系列的CMOS DML激光驱动收发器IC产品一起使用可制成高集成、低功耗和低成本的光收发模块。”

  HiLight销售副总Jess Brown博士评论道:“ 很兴奋HiLight再次推出突破性的CMOS产品，HLR11G1拥有优于竞争对手的性能，高性价比的技术优势能充分发挥客户系统潜能。”

  HLR11G1已经开始发样，感兴趣的客户请联系当地销售代表以获取更多信息。

  关于HiLight Semiconductor Limited:

  HiLight半导体是一家有风投机构投资的Fabless芯片设计公司，2012年由有丰富初创企业经验的人员所创立。专注于纳米级CMOS工艺设计并提供用于高速光纤通信和网络/数据中心应用的高性能的PMD和PHY 芯片。

  到目前为止，HiLight已经销售超过8000万片ICs。

  HiLight的总部位于英国南安普敦，在英国布里斯托尔设有设计中心，并在中国大陆(深圳，武汉，上海，成都)、台湾和日本设有销售以及技术支持办事处。